--- 产品参数 ---
- 封装 TO220F封装
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**型号**: 2SK3767-VB
**封装**: TO220F
**配置**: 单N沟道MOSFET
**技术**: 平面型 (Plannar)
2SK3767-VB是一款高压N沟道MOSFET,适用于要求高耐压和低功率的应用场合。其采用TO220F封装,适合中功率密度的应用。
### 产品参数
- **漏-源电压 (VDS)**: 650V
- **栅-源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 1700mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 2A
- **技术**: 平面型 (Plannar)
### 应用领域和模块示例
**1. LED照明**
2SK3767-VB适用于LED照明驱动器,可以用于控制LED灯的开关和调节亮度。其高耐压和低功率特性,使其能够提供高效的LED照明解决方案。
**2. 电源管理**
在要求高耐压和低功率的电源管理应用中,2SK3767-VB可以用作电源开关和稳压器。其高耐压和低功率特性,使其能够提供稳定的电源管理功能。
**3. 电动工具**
在电动工具中,该MOSFET可用于控制工具的电源开关和调节功率。其高耐压和低功率特性,使其能够提供高效的电动工具控制功能。
**4. 电动车充电器**
2SK3767-VB适用于电动车充电器中的电源开关和调节电压。其高耐压和低功率特性,使其能够提供高效的电动车充电解决方案。
2SK3767-VB MOSFET适用于高耐压和低功率的应用领域,包括LED照明、电源管理、电动工具和电动车充电器等,为这些领域提供高性能和可靠性的解决方案。
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