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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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3N10L34-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 3N10L34-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO252封装
  • 沟道 Single-N

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

**型号:** 3N10L34-VB  
**封装:** TO252  
**配置:** 单一N沟道MOSFET  
**主要参数:**
- 漏源电压 (VDS):100V
- 栅源电压 (VGS):±20V
- 阈值电压 (Vth):1.8V
- 导通电阻 (RDS(ON)):35mΩ @ VGS=4.5V,30mΩ @ VGS=10V
- 漏极电流 (ID):40A
- 技术:Trench(沟槽型)

### 详细参数说明

| 参数名称            | 参数值               |
|-----------------|--------------------|
| 漏源电压 (VDS)       | 100V               |
| 栅源电压 (VGS)       | ±20V               |
| 阈值电压 (Vth)       | 1.8V               |
| 导通电阻 (RDS(ON))   | 35mΩ @ VGS=4.5V    |
|                   | 30mΩ @ VGS=10V     |
| 漏极电流 (ID)        | 40A                |
| 功率耗散 (Ptot)      | 60W                |
| 输入电容 (Ciss)      | 4800pF             |
| 输出电容 (Coss)      | 760pF              |
| 反向传输电容 (Crss)  | 230pF              |
| 开启时间 (ton)       | 20ns               |
| 关断时间 (toff)      | 45ns               |
| 工作温度范围 (Tj)     | -55°C ~ 175°C      |
| 封装类型            | TO252              |

### 应用领域和模块举例

1. **电源管理**:3N10L34-VB适用于各种电源管理应用,包括DC-DC转换器、AC-DC电源、开关模式电源(SMPS)等。其低导通电阻和高电流承载能力使其在高效率、高功率密度的电源设计中表现出色。

2. **电机控制**:在电机驱动和控制系统中,这款MOSFET可用于电动车、机器人、电动工具等的驱动电路。它能够提供快速开关和高效的电流控制,确保电机运行的稳定性和高效性。

3. **工业自动化**:该型号的MOSFET适用于工业自动化系统中的各类驱动模块,如PLC、工业机器人控制单元和自动化设备的功率模块。其高可靠性和耐高温特性使其在工业环境中表现优异。

4. **汽车电子**:3N10L34-VB在汽车电子中的应用包括电动汽车的电池管理系统、车载充电器和各种辅助电源模块。其高电流能力和耐高温特性满足了汽车应用对可靠性和性能的严格要求。

5. **消费电子**:在消费电子领域,这款MOSFET适用于高性能电源适配器、笔记本电脑电源和高效充电器等设备,提供高效的电能转换和稳定的电源管理。

通过这些应用领域和模块的具体例子,可以看出3N10L34-VB TO252 MOSFET因其优秀的电气性能和可靠性在多个行业中得到了广泛应用。

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