--- 产品参数 ---
- 封装 TO252
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
5804NG-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO252封装,适合低压高电流应用。它具有40V的漏源电压能力和低导通电阻特性,适用于需要高效能和高功率密度的电路设计。
### 详细参数说明
- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 40V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS = 4.5V
- 5mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 85A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
5804NG-VB适用于以下几个主要领域和模块:
1. **电源管理**:
由于其低导通电阻和高漏源电压能力,5804NG-VB非常适合用作低压电源管理中的开关管。它可以在DC-DC转换器和稳压器中实现高效率的能量转换,提供稳定的电压输出。
2. **电动工具和电动车**:
在电动工具和电动车的电机驱动系统中,5804NG-VB可以作为电机控制器的关键部件。它能够支持高电流操作,并提供有效的功率输出,用于驱动电机的加速和转动控制。
3. **电源适配器**:
在各种电子设备的电源适配器中,5804NG-VB可以控制输入电源的稳定性和输出电流的调节。其高效率和高功率密度使其成为各种应用的理想选择。
4. **工业自动化**:
在工业控制和自动化系统中,5804NG-VB可以用于开关电源和电机驱动器,以提升设备的性能和可靠性。
综上所述,5804NG-VB TO252 MOSFET适用于需要低压高电流、高效能和高功率密度的电路设计,包括电源管理、电动工具、电动车、电源适配器和工业自动化等领域,为各种应用提供稳定、高效的电力管理解决方案。
为你推荐
-
60N06L-TF3-T-VB一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-15 17:18
产品型号:60N06L-TF3-T-VB 封装:TO220F 沟道:Single-N -
60N06L-TA3-T-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-15 17:17
产品型号:60N06L-TA3-T-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
60N05-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-15 17:15
产品型号:60N05-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
60N04-VB TO263一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-15 17:14
产品型号:60N04-VB TO263 封装:TO263 沟道:Single-N -
60N04-VB TO252一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-15 17:13
产品型号:60N04-VB TO252 封装:TO252 沟道:Single-N -
60N04KUG-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-15 17:12
产品型号:60N04KUG-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
60N03P-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-15 17:11
产品型号:60N03P-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
60N03H-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-15 17:10
产品型号:60N03H-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
60N03GP-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-15 17:08
产品型号:60N03GP-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
60N03GJ-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-15 17:07
产品型号:60N03GJ-VB 封装:TO251 沟道:Single-N