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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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60N03GP-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 60N03GP-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO220
  • 沟道 Single-N

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、产品简介

**型号:60N03GP-VB**

60N03GP-VB 是一款低压单N沟道MOSFET,采用TO220封装,适用于高功率开关和电源管理应用。具有30V的漏源电压和70A的持续漏极电流能力,采用Trench技术工艺,提供了低导通电阻和优异的导通特性。

### 二、详细参数说明

- **封装类型**:TO220
- **沟道类型**:单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:30V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 10mΩ @ VGS=4.5V
 - 7mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:70A
- **技术工艺**:Trench

### 三、应用领域和模块举例

**电源供应模块:**
60N03GP-VB 可以广泛应用于电源供应模块中的功率开关电路,如电源适配器和开关电源等。其高漏极电流和低导通电阻特性使其能够处理高功率的电能转换需求,确保电源供应的高效率和稳定性。

**电动工具驱动:**
在电动工具如电动锤、电动钻等的电机驱动控制电路中,60N03GP-VB 可以提供高效的电流开关控制,保证设备的高性能和长寿命。其高漏极电流和优异的导通特性使其在高功率电动工具中表现出色。

**电动汽车动力控制:**
在电动汽车的动力控制系统中,60N03GP-VB 可以作为电池管理和驱动控制电路的关键组件。其高电流承受能力和低导通电阻特性确保了电动汽车系统的高效能转换和动力输出。

**电子设备电源管理:**
在各类电子设备如服务器、通信设备等的电源管理电路中,60N03GP-VB 的低阈值电压和低导通电阻能够提供精确的电能控制和高效的能源转换,确保设备的稳定运行和能效优化。

以上示例展示了60N03GP-VB MOSFET 在多个领域中的广泛应用,从而体现了其在高功率开关和电源管理领域中的重要性和实用性。

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