--- 产品参数 ---
- 封装 TO220
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 1. 产品简介
5R520P-VB 是一款单N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有中等功率和高电压处理能力,适合用于要求中电压和中电流控制的电子应用场合。采用了SJ_Multi-EPI技术,保证了其在高压环境下的稳定性和可靠性。
### 2. 详细参数说明
- **型号**: 5R520P-VB
- **封装**: TO220
- **沟道类型**: 单N沟道
- **漏极-源极电压(VDS)**: 650V
- **栅极-源极电压(VGS)**: ±30V
- **门阈电压(Vth)**: 3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**: 500mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流(ID)**: 9A
- **技术**: SJ_Multi-EPI
### 3. 应用示例
5R520P-VB 可以广泛应用于以下领域和模块:
- **电源转换器**: 在开关电源和逆变器中,5R520P-VB 可以用作关键的开关器件,控制和调节电流,提高电能转换效率。
- **工业控制设备**: 适用于工业自动化系统中的电机控制、电源管理和电流调节,确保设备运行稳定和效率高。
- **电动工具**: 在电动工具中,例如电动钻、电锤等设备中,作为开关电路的组成部分,保证设备在高负载和高压环境下的可靠性和性能。
这些示例展示了5R520P-VB 在中功率、中电流控制应用中的优越性能和广泛适用性,是工程师在设计需要稳定和高效能控制的电子系统时的理想选择。
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