### 产品简介
**型号：** 638Z-VB
**封装：** SOT23-6
**配置：** 单P沟道
**VDS：** -30V
**VGS：** 20（±V）
**Vth：** -1.7V
**RDS(ON)：**
- 54mΩ @ VGS=4.5V
- 49mΩ @ VGS=10V
**ID：** -4.8A
**技术：** Trench
638Z-VB是一款单P沟道MOSFET，采用SOT23-6小封装，适用于低功率电路和便携式设备。其特点包括-30V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS），以及-1.7V的门限电压（Vth）。具有优异的导通特性，RDS(ON)在不同工作条件下分别为54mΩ（在VGS=4.5V时）和49mΩ（在VGS=10V时），并且支持最大漏极电流（ID）达到-4.8A。采用Trench技术，保证了高效能量转换和稳定的性能表现。
### 详细参数说明
| 参数 | 数值 |
|-------------------|-----------|
| 型号 | 638Z-VB |
| 封装 | SOT23-6 |
| 配置 | 单P沟道 |
| 漏极-源极电压（VDS） | -30V |
| 栅极-源极电压（VGS） | 20（±V） |
| 门限电压（Vth） | -1.7V |
| 导通电阻（RDS(ON)） | 54mΩ @ VGS=4.5V, 49mΩ @ VGS=10V |
| 最大漏极电流（ID） | -4.8A |
| 技术 | Trench |
### 应用领域与模块举例
1. **便携式电子设备（Portable Electronics）：**
638Z-VB适用于便携式设备中的电源管理和信号开关电路，如智能手机、平板电脑、便携式音频设备等。其小封装和低功耗特性使其能够有效延长电池寿命和提升设备运行效率。
2. **低功率电源（Low-Power Power Supplies）：**
在需要高效能量转换和紧凑设计的低功率电源中，638Z-VB可以用作电源开关和DC-DC转换器的关键部件，以实现高效的能量转换和稳定的电源输出。
3. **信号开关（Signal Switching）：**
在各种电子设备的信号开关电路中，这款MOSFET可以作为信号路由和开关控制器，确保信号传输的高速和稳定性。
通过以上示例，638Z-VB展示了其在便携式电子设备、低功率电源和信号开关等多个领域中的广泛应用，为电路设计提供了高性能和可靠性保障。
