--- 产品参数 ---
- 封装 TO252
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**6414ANG-VB TO252** 是一款高性能单N沟道功率MOSFET,采用TO252封装。它适用于中高电压范围内的功率控制和开关应用,具有低导通电阻和优异的导通性能,适合要求高效能和快速开关的功率电子应用。
### 详细参数说明
- **型号**: 6414ANG-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 35mΩ @ VGS = 4.5V
- 30mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 40A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块示例
**6414ANG-VB TO252** 可以广泛应用于以下领域和模块:
1. **电源供应器**:
- 在各种电源管理系统中,特别是需要高效能和高电流驱动的电源模块中,6414ANG-VB可以作为开关器件,用于提供稳定的电压输出和高效的电能转换。
2. **直流-直流转换器**:
- 在工业自动化、通信设备和医疗设备中的直流-直流转换器模块中,这款MOSFET能够实现高频率开关和快速响应,提高系统的功率密度和能效。
3. **电动工具和电动车辆**:
- 6414ANG-VB可用于电动工具和电动车辆中的电动马达控制和电池管理系统,支持高功率输出和动态响应,提升设备的性能和使用寿命。
4. **汽车电子**:
- 在汽车电子系统中,特别是在电动汽车的电池管理、电动马达驱动和车载充电器中,这款MOSFET能够承受高电压和高电流负载,确保系统的稳定运行和安全性能。
5. **工业控制**:
- 在各种工业控制设备中,如变频器、UPS系统和工业电源模块中,6414ANG-VB可用作功率开关器件,提供可靠的功率控制和响应速度。
通过以上示例,可以看出6414ANG-VB TO252 MOSFET在多个领域和应用模块中的广泛适用性,为电子工程师和系统设计者提供了高性能和可靠的功率开关解决方案。
为你推荐
-
6679GS-A-VB一款Single-P沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-18 14:35
产品型号:6679GS-A-VB 封装:TO263 沟道:Single-P -
6679GP-VB一款Single-P沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-16 15:52
产品型号:6679GP-VB 封装:TO220 沟道:Single-P -
6618SC-VB一款Single-N沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-16 15:51
产品型号:6618SC-VB 封装:SOP8 沟道:Single-N -
6618M-VB一款Single-N沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-16 15:50
产品型号:6618M-VB 封装:SOP8 沟道:Single-N -
6618GM-VB一款Single-N沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-16 15:49
产品型号:6618GM-VB 封装:SOP8 沟道:Single-N -
65R950-VB TO252一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-16 15:47
产品型号:65R950-VB TO252 封装:TO252 沟道:Single-N -
65R950-VB TO251一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-16 15:32
产品型号:65R950-VB TO251 封装:TO251 沟道:Single-N -
65R420-VB TO252一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-16 15:30
产品型号:65R420-VB TO252 封装:TO252 沟道:Single-N -
65R420-VB TO251一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-16 15:28
产品型号:65R420-VB TO251 封装:TO251 沟道:Single-N -
65N55LF3-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-16 15:27
产品型号:65N55LF3-VB 封装:TO252 沟道:Single-N