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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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60N06L-TQ2-T-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 60N06L-TQ2-T-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO263
  • 沟道 Single-N

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、产品简介

**型号:60N06L-TQ2-T-VB**

60N06L-TQ2-T-VB 是一款高压单N沟道MOSFET,采用TO263封装,适用于中高功率开关和电源管理应用。具有60V的漏源电压和75A的持续漏极电流能力,采用Trench技术工a艺,提供了低导通电阻和优异的导通特性。

### 二、详细参数说明

- **封装类型**:TO263
- **沟道类型**:单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:60V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 12mΩ @ VGS=4.5V
 - 11mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:75A
- **技术工艺**:Trench

### 三、应用领域和模块举例

**电动汽车驱动系统:**
60N06L-TQ2-T-VB 可以广泛应用于电动汽车的驱动系统中,如电机控制和电池管理模块。其高漏极电流和低导通电阻特性使其能够在高功率电动汽车中实现高效能转换和稳定的动力输出。

**电源逆变器:**
在电源逆变器中,如UPS系统和太阳能逆变器等,需要能够处理中等电压和大电流的功率开关器件来实现稳定的电能转换和功率控制。60N06L-TQ2-T-VB 的性能使其成为这些设备中的理想选择,能够提供高效的能量转换和长期可靠性。

**工业电源模块:**
在工业电源模块如工业电源供应器中,60N06L-TQ2-T-VB 可以用于功率开关电路,确保设备的高效率和长期稳定性。其优异的导通特性和高电流承受能力使其在工业环境中表现出色。

**服务器电源管理:**
在数据中心服务器等高性能电子设备的电源管理电路中,60N06L-TQ2-T-VB 的低导通电阻和高电流承受能力能够提供稳定的电源供应和高效的能源转换,确保设备的持续稳定运行。

以上示例展示了60N06L-TQ2-T-VB MOSFET 在多个领域中的广泛应用,从而体现了其在中高功率开关和电源管理领域中的重要性和实用性。

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