--- 产品参数 ---
- 封装 TO220
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 6R520P-VB MOSFET 产品简介
6R520P-VB是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO220封装。它具有650V的漏源电压和9A的漏电流能力,适合中等功率应用场合。采用了SJ_Multi-EPI技术,具有低导通电阻和良好的热稳定性,适用于工业和消费电子设备中的功率控制和开关应用。
### 6R520P-VB MOSFET 详细参数说明
- **封装类型**:TO220
- **极性配置**:单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:650V
- **栅源电压 (VGS)**:30V (±)
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:500mΩ @ VGS=10V
- **漏电流 (ID)**:9A
- **技术类型**:SJ_Multi-EPI
### 6R520P-VB MOSFET 应用领域与模块示例
1. **电源转换器**:6R520P-VB适用于电源转换器中的开关电源控制,如直流-直流转换器和电源逆变器。其中等功率处理能力和稳定的导通特性使其能够有效地管理电能转换和功率分配。
2. **电动汽车充电桩**:在电动汽车充电桩中,这款MOSFET可以作为充电器控制电路的关键部件,确保高效的能量转换和快速安全的充电过程。
3. **工业控制系统**:在工业控制系统中,如电机驱动器和机器人控制系统,6R520P-VB可用于电源管理和动力控制,提升设备的性能和能效。
综上所述,6R520P-VB MOSFET适用于需要中等功率处理能力的多种应用领域,包括电源转换器、电动汽车充电桩和工业控制系统,为这些领域的电子设备提供了稳定和高效的功率控制解决方案。
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