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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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7N60H-VB TO220F一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 7N60H-VB TO220F
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO220F
  • 沟道 Single-N

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 7N60H-VB TO220F MOSFET 产品简介

7N60H-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用平面技术制造,适用于高压和高功率应用场合。其封装为 TO220F,具备良好的散热性能和可靠性。这款 MOSFET 在 650V 的漏源电压 (VDS) 下工作,栅源电压 (VGS) 为 ±30V,阈值电压 (Vth) 约为 3.5V。具有较高的导通电阻和适中的漏极电流能力,适合用于需要处理大电流和高压的应用。

### 7N60H-VB TO220F 详细参数说明

- **封装形式**:TO220F
- **配置**:单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**:650V
- **栅源电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 1100mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:7A
- **技术**:平面 (Plannar)

### 适用领域和模块举例

#### 电源逆变器
7N60H-VB TO220F 可以广泛应用于电源逆变器和交流变直流的转换器中。其高漏源电压和适中的导通电阻,使其成为逆变器电路中的理想选择,能够稳定高压和高功率的输出,提高系统的转换效率和可靠性。

#### 汽车电子
在电动汽车和混合动力汽车的电动驱动系统中,需要能够承受高电压和电流的功率开关器件。7N60H-VB TO220F 的650V 漏源电压和7A 的漏极电流能力,能够有效地控制电流并确保系统的稳定性,适用于电动汽车的驱动电机和电池管理系统。

#### 工业控制设备
在工业领域,特别是需要高压输出的电源模块和电机控制系统中,7N60H-VB TO220F 可以提供稳定的高压输出,并通过其低导通电阻减少能量损耗,适用于各种工业设备的电源管理和控制。

#### 太阳能逆变器
在太阳能发电系统中,逆变器需要能够稳定地将直流电转换为交流电。7N60H-VB TO220F 的高电压和适中的电流能力,使其成为太阳能逆变器中的理想选择,能够提供可靠的能量转换和稳定的电力输出。

7N60H-VB TO220F 是一款适用于高压和高功率应用的 MOSFET,能够在各种工业和电源管理场合中提供优异的性能和可靠性。

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