--- 产品参数 ---
- 封装 TO220
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
9R340C-VB是一款高压单N沟道MOSFET,采用TO220封装。该器件设计用于高电压应用,具有优异的导通特性和高功率处理能力。
### 产品参数
- **封装类型**: TO220
- **配置**: 单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 900V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 270mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 20A
- **技术**: SJ_Multi-EPI
### 适用领域和模块
9R340C-VB MOSFET由于其高电压承受能力和低导通电阻特性,适用于以下领域和模块:
1. **电力传输和分配**:用于高压电力传输线路和变电站设备中,9R340C-VB能够处理高电压和高功率需求,确保稳定的电力供应和有效的能量转换。
2. **工业电机驱动**:在工业自动化设备中,特别是需要长时间稳定运行和高效能转换的电机驱动器和控制系统中,该MOSFET能够提供可靠的功率开关和保护功能。
3. **电源逆变器**:适用于工业电源逆变器和UPS系统,能够转换直流电源为稳定的交流电源,用于工厂设备和关键设施的电力备份和供应。
4. **电动汽车充电设备**:作为电动汽车充电桩的关键组件,能够处理高压输入和高功率输出,提供快速充电和安全的充电保护。
5. **太阳能逆变器**:用于太阳能发电系统的逆变器模块中,能够处理太阳能板输出的高电压和变化频率,转换为稳定的交流电能供应。
综上所述,9R340C-VB MOSFET适用于多种需要处理高电压和高功率的电子应用,能够提供稳定可靠的性能并确保系统的安全运行。
为你推荐
-
9R340C-VB TO220一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-27 13:45
产品型号:9R340C-VB TO220 封装:TO220 沟道:Single-N -
9R1K2C-VB TO252一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-27 13:42
产品型号:9R1K2C-VB TO252 封装:TO252### 一、9R1K2C-VB 产品简介 9R1 沟道:Single-N -
9R1K2C-VB TO247一款Single-N沟道TO247的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-27 13:39
产品型号:9R1K2C-VB TO247 封装:TO247 沟道:Single-N -
9R1K2C-VB TO220F一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-27 13:37
产品型号:9R1K2C-VB TO220F 封装:TO220F 沟道:Single-N -
9R1K2C-VB TO220一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-27 11:58
产品型号:9R1K2C-VB TO220 封装:TO220 沟道:Single-N -
9R1K0C-VB TO247一款Single-N沟道TO247的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-27 11:53
产品型号:9R1K0C-VB TO247 封装:TO247 沟道:Single-N -
9R1K0C-VB TO220F一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-27 11:46
产品型号:9R1K0C-VB TO220F 封装:TO220F 沟道:Single-N -
9R1K0C-VB TO220一款9R1K0C-VB TO220沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-27 11:44
产品型号:9R1K0C-VB TO220 封装:TO220 沟道:9R1K0C-VB TO220 -
9R120C-VB一款Single-N沟道TO247的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-27 11:42
产品型号:9R120C-VB 封装:TO247 沟道:Single-N -
9NM60N-VB TO252一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-27 11:40
产品型号:9NM60N-VB TO252 封装:TO252 沟道:Single-N