--- 产品参数 ---
- 封装 TO251
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
7N60-VB是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO251封装,适用于高电压和中功率应用。该器件采用SJ_Multi-EPI技术,结合了多重外延(Multi-EPI)工艺的优势,具有良好的导通特性和高可靠性,适合各种要求高耐压和高效能的电力电子设计。
### 详细参数说明
- **型号**:7N60-VB
- **封装**:TO251
- **配置**:单N沟道
- **漏源电压(VDS)**:650V
- **栅源电压(VGS)**:±30V
- **阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:700mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**:7A
- **技术**:SJ_Multi-EPI(多重外延)
### 应用领域和模块举例
1. **电源管理**
- **开关电源**:由于其高漏源电压和适中的导通电阻,7N60-VB适用于开关电源中的功率开关和稳压器,确保稳定的电力输出。
- **电动车充电器**:在电动车充电器中,该MOSFET可以作为功率开关元件,支持高压直流电的转换和充电。
2. **太阳能逆变器**
- **太阳能发电系统**:适用于太阳能逆变器中,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电,供电给家庭和商业建筑。
3. **工业控制**
- **工业电机驱动**:用于工业电机驱动系统中的电源管理和功率转换,如泵浦系统、风力发电机组等。
- **UPS系统**:在不间断电源系统中,7N60-VB可以作为关键的功率开关元件,确保关键设备在电网故障时的持续供电。
4. **电动工具**
- **电动工具驱动**:适用于各种电动工具中的电机控制和电源管理部分,提供稳定的功率输出和可靠的性能。
7N60-VB以其高耐压能力、低导通电阻和多重外延技术的优势,适合于需要高效能和高可靠性的电力电子应用,为各种高功率设备提供稳定的电力控制和管理解决方案。
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