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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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7N80H-VB TO220一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 7N80H-VB TO220
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO220
  • 沟道 Single-N

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 7N80H-VB TO220 MOSFET 产品简介

7N80H-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用平面技术制造,适用于高压和高功率应用场合。其封装为 TO220,具备良好的散热性能和可靠性。这款 MOSFET 在 850V 的漏源电压 (VDS) 下工作,栅源电压 (VGS) 为 ±30V,阈值电压 (Vth) 约为 3.5V。具有较高的导通电阻和适中的漏极电流能力,适合用于需要处理大电流和高压的应用。

### 7N80H-VB TO220 详细参数说明

- **封装形式**:TO220
- **配置**:单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**:850V
- **栅源电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 1700mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:6A
- **技术**:平面 (Plannar)

### 适用领域和模块举例

#### 高压电源模块
7N80H-VB TO220 可以应用于各种需要高电压输出的电源模块中,例如电源逆变器和高压稳定器。其850V 的漏源电压和良好的导通电阻特性,能够稳定输出高压并提供可靠的电源供应,适用于工业设备和电力系统中的高压电源管理。

#### 电动车充电桩
在电动车充电桩中,需要能够承受高电压和电流的功率开关器件。7N80H-VB TO220 的850V 漏源电压和6A 的漏极电流能力,使其成为电动车充电桩中的理想选择,能够有效地控制电流并确保充电过程的安全和稳定性。

#### 太阳能逆变器
在太阳能发电系统中,逆变器需要能够稳定地将直流电转换为交流电。7N80H-VB TO220 的高电压和适中的电流能力,使其成为太阳能逆变器中的理想选择,能够提供可靠的能量转换和稳定的电力输出。

#### 高压工业控制设备
在工业控制和电源管理领域,特别是需要稳定高压输出的应用中,7N80H-VB TO220 可以提供可靠的高压开关功能。其平面技术和低导通电阻特性,使其在各种工业设备的电源管理和控制中表现出色。

7N80H-VB TO220 是一款适用于高压和高功率应用的 MOSFET,具备优异的性能和可靠性,适合各种工业和电源管理场合的应用需求。

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