--- 产品参数 ---
- 封装 TO220
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、产品简介
VBsemi 7N80L-TA3-T-VB 是一款高压单N沟道MOSFET,采用TO220封装。该器件通过SJ_Multi-EPI技术设计,具有稳定的性能和高耐压能力,适用于需要高效能和可靠性的电源管理和开关应用。
### 二、详细参数说明
| 参数 | 数值 |
|----------------------|---------------------|
| 封装类型 | TO220 |
| 配置 | 单N沟道 |
| 漏源电压 (VDS) | 800V |
| 栅源电压 (VGS) | ±30V |
| 阈值电压 (Vth) | 3.5V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 1300mΩ @ VGS=10V |
| 连续漏极电流 (ID) | 5A |
| 技术 | SJ_Multi-EPI |
### 三、应用领域和模块示例
1. **电源逆变器**:
- 7N80L-TA3-T-VB 可以应用于高压电源逆变器和交流电源供应系统中,如工业UPS(不间断电源)和太阳能逆变器。其高耐压特性和低导通电阻有助于提升能源转换效率和系统可靠性。
2. **电动车辆充电设备**:
- 在电动汽车的充电设备中,这款MOSFET可以作为开关器件用于电能转换和功率控制,支持电动车辆快速充电和高效能转换。
3. **工业高压电源**:
- 在工业设备的高压电源模块中,如工业电机驱动器、高压开关电源和电力控制系统,7N80L-TA3-T-VB 可以提供稳定的功率开关和高效率的能源管理。
4. **家用电器**:
- 在需要处理高电压和大功率的家用电器中,如电动工具、电磁炉和电热水器的电源管理电路中,这款MOSFET可以提供可靠的电能转换和高效的功率控制。
通过以上示例,可以看出 VBsemi 7N80L-TA3-T-VB 在多个领域中具有广泛的应用潜力,特别适合于需要高压、高功率和高可靠性的应用环境。
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