--- 产品参数 ---
- 封装 TO252
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 9467AGH-VB MOSFET
#### 一、产品简介
9467AGH-VB 是一款单 N 沟道功率 MOSFET,采用 TO252 封装。该器件具有 40V 的漏源电压(VDS),最大栅源电压(VGS)为 ±20V,阈值电压(Vth)为 2.5V。9467AGH-VB 采用了先进的沟槽技术,具有低导通电阻(RDS(ON)),在 VGS=4.5V 时为 6mΩ,在 VGS=10V 时为 5mΩ。最大连续漏极电流(ID)为 85A,表明其能够承受大电流负载。
#### 二、详细参数说明
- **封装类型**:TO252
- **配置**:单 N 沟道
- **漏源电压(VDS)**:40V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:2.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- VGS=4.5V 时:6mΩ
- VGS=10V 时:5mΩ
- **最大连续漏极电流(ID)**:85A
- **技术类型**:沟槽技术
#### 三、适用领域和模块举例
9467AGH-VB MOSFET 适用于多种电子系统和模块,特别是:
- **电源管理**:可用于高功率 DC-DC 转换器和电源开关,如服务器电源单元和工业电源设备。
- **电动工具**:在高性能电动工具中,如电动割草机和电动锯等,用于电机驱动和电源管理。
- **电动车辆(EV)和混合动力车辆(HEV)**:用于驱动电机控制器和电池管理系统,确保高效的能量转换和系统的稳定性。
- **工业自动化**:在需要高功率开关和稳定电源管理的工业控制系统中,提供可靠的电力输出和电流控制。
以上示例展示了 9467AGH-VB MOSFET 在各种需要高功率、低导通电阻和稳定性能转换的电子设备和系统中的重要应用。
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