### 产品简介
9912H-VB 是一款TO252封装的单N沟道MOSFET，采用Trench技术。该器件具有低导通电阻和高漏极电流特性，适合要求高性能功率开关和电源管理的应用场合。
### 详细参数说明
- **型号**: 9912H-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 20V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS = 2.5V
- 4.5mΩ @ VGS = 4.5V
- **漏极电流 (ID)**: 100A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
9912H-VB 适用于以下领域和模块：
1. **电源转换器和功率管理**
- 在电源逆变器、DC-DC转换器和功率管理模块中，9912H-VB 可以用作高效率功率开关。其低导通电阻和高漏极电流特性，有助于减少能量损耗并提高系统效率。
2. **电动工具和电动车辆**
- 在电动工具、电动车辆和其他电动设备的驱动电路中，9912H-VB 可以用于电机驱动和电池管理。其高漏极电流能力和快速开关特性，适合于高功率应用场合。
3. **消费电子和通信设备**
- 在消费电子产品如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理电路中，9912H-VB 可以用于功率开关和电池充放电管理。其优异的导通特性和稳定性，有助于提升设备的性能和可靠性。
9912H-VB MOSFET 通过其优越的电气特性和多功能应用能力，为各种高性能电子设备和系统提供了稳定和高效的功率管理解决方案。
