9467GH-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 9467GH-VB MOSFET 产品简介

#### 产品简介
9467GH-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用先进的沟槽技术（Trench），封装为TO252。该器件具有低导通电阻和高电流承载能力，适合于中高功率的功率开关和电源管理应用。

### 详细参数说明

| 参数             | 值                      |
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| **型号**        | 9467GH-VB               |
| **封装**        | TO252                   |
| **配置**        | 单N沟道                 |
| **V_DS** | 40V                    |
| **V_GS** | 20V (±)                |
| **V_th** | 2.5V                   |
| **R_DS(ON)@V_GS=4.5V** | 6mΩ                |
| **R_DS(ON)@V_GS=10V** | 5mΩ                 |
| **I_D** | 85A                    |
| **技术**        | 沟槽技术 (Trench)       |

### 应用领域和模块举例

1. **电源管理**
  9467GH-VB MOSFET 在中高功率的电源管理模块中表现出色，如电源开关、DC-DC转换器和稳压模块。其低导通电阻和高电流承载能力有助于提高能效和系统稳定性。

2. **电动汽车**
  在电动汽车和混合动力车辆的电动驱动系统中，9467GH-VB 可以用于电机控制单元（MCU）、电池管理系统（BMS）和DC-DC转换器，支持高效能量转换和系统性能优化。

3. **工业自动化**
  该型号适用于工业控制系统中的功率开关和驱动模块，支持各种工业自动化设备的高效运行和能耗优化。

4. **服务器和通信设备**
  9467GH-VB 可以应用于高功率的服务器电源模块和通信设备的电源管理单元，为数据中心和通信基础设施提供稳定可靠的电源支持。

### 总结
9467GH-VB MOSFET 以其低导通电阻、高电流承载能力和先进的沟槽技术，适用于电源管理、电动汽车、工业自动化和服务器通信设备等多个领域的中高功率功率开关和电源管理应用。