### 1. 产品简介详细
VBsemi MOSFET 9469GH-VB 是一款封装为TO252的单N沟道型MOSFET。具有以下主要特性：
- **VDS (漏极-源极电压)**: 40V
- **VGS (栅极-源极电压)**: ±20V
- **Vth (门槽电压阈值)**: 2.5V
- **RDS(ON) (导通时漏极-源极电阻)**:
- 14mΩ @ VGS=4.5V
- 12mΩ @ VGS=10V
- **ID (漏极电流)**: 55A
- **技术**: 沟道型
### 2. 参数说明
- **封装**: TO252
- **电压参数**:
- 最大漏极-源极电压 (VDS): 40V
- 最大栅极-源极电压 (VGS): ±20V
- **性能参数**:
- 阈值电压 (Vth): 2.5V
- 导通电阻 (RDS(ON)):
- 14mΩ @ VGS=4.5V
- 12mΩ @ VGS=10V
- **电流参数**:
- 最大漏极电流 (ID): 55A
- **技术**: Trench 沟道技术
### 3. 应用示例
9469GH-VB MOSFET 适用于多种领域和模块，例如：
- **电源管理**: 在电源逆变器和稳压器中，提供高效的电压调节和电流控制。
- **电动工具**: 作为电动工具的电机驱动器件，用于电机速度控制和功率管理。
- **工业自动化**: 在工业控制系统中，用于开关电源和高功率负载控制。
这些示例展示了9469GH-VB MOSFET 在电源管理、电动工具和工业自动化控制中的广泛应用。
