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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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AP02N90I-VB一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: AP02N90I-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO220F
  • 沟道 Single-N

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 1. 产品简介

AP02N90I-VB 是一款单N沟道场效应管,采用Plannar技术制造,封装形式为TO220F。具有高耐压和低导通电阻特性,适用于高压电源管理和工业控制系统中的电流开关和控制应用。

### 2. 详细参数说明

- **包装**: TO220F
- **配置**: 单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 950V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 5400mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 3A
- **技术**: Plannar

### 3. 应用示例

AP02N90I-VB 可以在以下领域和模块中广泛应用:

- **高压电源管理**: 适用于需要高电压稳定性和电流控制的电源管理系统,如工业用途中的高压电源单元和电机驱动器。
- **电动汽车充电设备**: 在电动汽车充电桩中,用于电源开关和电流控制,确保高效能和稳定的充电过程。
- **工业控制系统**: 在工业自动化和控制系统中,用于高压电源开关和电流管理,确保设备和系统的可靠性和稳定性。
- **电池充放电控制**: 用于电池管理系统中的充放电控制模块,确保电池充电过程的安全和高效率。

这些示例说明了 AP02N90I-VB 在需要高电压、高可靠性和稳定性的应用中的重要作用,是工业和电力系统中的关键组件之一。

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