--- 产品参数 ---
- 封装 TO220F
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### AP2762I-A-VB 产品简介
AP2762I-A-VB 是一款高压单N沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装。它具有高电压承受能力和较低的导通电阻,适合用于需要高电压开关和控制的应用场合。
### AP2762I-A-VB 参数说明
- **封装类型**:TO220F
- **配置**:单N-通道
- **漏源极电压 (VDS)**:650V
- **栅极电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:1100mΩ @ VGS=10V
- **连续漏极电流 (ID)**:7A
- **技术**:Plannar
### AP2762I-A-VB 适用领域和模块
AP2762I-A-VB 由于其高电压和较低的导通电阻特性,广泛适用于以下领域和模块:
1. **电源逆变器**:适用于电力逆变器中的开关控制,如太阳能逆变器和工业电源系统,能够提供可靠的高压开关能力。
2. **电动车充电器**:在电动车充电器中,AP2762I-A-VB 可用作开关管,支持高电压和高电流的快速充电功能。
3. **工业控制系统**:用于各种工业控制系统中的开关电路,如电机控制、机械设备驱动等,提供稳定的电流控制和能效优化。
4. **电力供应模块**:可用于电力供应模块中的开关电路,保证设备运行时的高效能和稳定性。
5. **电动工具**:在需要高功率输出的电动工具中,AP2762I-A-VB 可用作驱动电路的关键部件,提供可靠的电力传输和控制。
综上所述,AP2762I-A-VB 是一款适用于高压、高功率应用的单N沟道 MOSFET,其优秀的电气特性使其成为各种工业和电力应用中的理想选择。
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