--- 产品参数 ---
- 封装 TO220F
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### AP2761F-VB 产品简介
AP2761F-VB 是一种高性能的单N沟道功率MOSFET,采用TO220F封装,具备出色的电气性能和可靠性。该型号的设计旨在满足高效电源管理应用中的需求,提供高耐压能力和低导通电阻,是各种功率转换和控制电路的理想选择。
### AP2761F-VB 详细参数说明
- **封装类型**: TO220F
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 650V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 830mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 10A
- **技术类型**: 平面工艺
### 应用领域和模块举例
AP2761F-VB 功率MOSFET广泛应用于以下领域和模块:
1. **开关电源 (SMPS)**: AP2761F-VB 的高耐压和低导通电阻使其非常适合用于开关电源中的功率开关,能有效提高电源效率和可靠性。
2. **照明系统**: 由于其高耐压特性,AP2761F-VB 常用于LED驱动器和HID灯的电源模块中,提供稳定的电流控制和高效的能量转换。
3. **电机驱动**: 在电机控制应用中,该MOSFET可用于控制电机的启动和停止,特别适用于工业自动化设备中的直流电机驱动模块。
4. **不间断电源 (UPS)**: AP2761F-VB 适用于UPS系统中的逆变器和整流器模块,确保在电源中断时能提供稳定的备用电源。
5. **工业电源管理**: 在工业电源系统中,该型号可以用于高压直流电源的开关控制和电流调节,提高系统的稳定性和效率。
通过在这些应用中使用AP2761F-VB,可以实现更高效、更可靠的电源管理和控制,满足各种高性能应用的需求。
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