--- 产品参数 ---
- 封装 TO220
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### AP03N90P-HF-VB 产品简介
**型号:** AP03N90P-HF-VB
**封装:** TO220
**配置:** 单N沟道MOSFET
**技术:** SJ_Multi-EPI
AP03N90P-HF-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术,具有900V的漏极-源极电压承受能力和适中的导通电阻,适合高压应用环境中的功率开关和控制。
### 详细参数说明
- **漏极-源极电压(VDS):** 900V
- **栅极-源极电压(VGS):** ±30V
- **阈值电压(Vth):** 3.5V
- **导通电阻(RDS(ON)):** 1500mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流(ID):** 5A
- **技术:** SJ_Multi-EPI
### 应用领域和模块举例
1. **工业电源系统:** AP03N90P-HF-VB 可用作工业电源系统中的开关器件,用于稳定和高效的电源管理和转换,如工业UPS系统、电力变频器等。
2. **电动汽车充电设备:** 在电动汽车充电桩中,AP03N90P-HF-VB 可作为高压直流到电动汽车电池的安全转换器件,确保充电过程的高效率和安全性。
3. **太阳能逆变器:** 在太阳能发电系统的逆变器中,AP03N90P-HF-VB 可用于将高压直流电能转换为交流电能,以提供给电网或供电设备使用。
4. **医疗设备电源:** 适用于需要稳定和可靠电源供应的医疗设备,如医用X射线机、磁共振成像设备等,确保设备的安全运行和精准控制。
5. **电力电子设备:** 在各类电力电子设备中,如电动机驱动器、高压电源开关等,AP03N90P-HF-VB 可提供稳定的电力控制和效率优化。
AP03N90P-HF-VB MOSFET适用于需要高压、稳定性和效率的各种电源管理和功率控制应用,为工业、电力电子和新能源领域提供可靠的解决方案。
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