--- 产品参数 ---
- 封装 TO3P
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、产品简介
AP09N90CW-HF-VB 是一款由 VBsemi 生产的单个 N 沟道 MOSFET,采用 TO3P 封装。该产品具有极高的漏源电压(VDS = 900V),适合于高压功率开关和电源管理应用。采用了 SJ_Multi-EPI 技术,该 MOSFET 在高电压条件下能够提供可靠的性能和稳定性。
### 二、详细的参数说明
- **型号**: AP09N90CW-HF-VB
- **封装类型**: TO3P
- **配置**: 单个 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 900V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 750mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 9A
- **技术类型**: SJ_Multi-EPI
### 三、应用领域和模块示例
AP09N90CW-HF-VB 在多个应用领域中展现了其适用性:
1. **工业高压电源**:
- 该 MOSFET 可以用于工业设备中的高压电源管理模块,如高压稳压器和逆变器,确保在高压条件下提供稳定的电源输出。
2. **电动汽车充电设备**:
- 用于电动汽车充电桩中的功率开关电路,支持高压直流充电需求,能够有效控制和管理电流,提高充电效率和速度。
3. **太阳能逆变器**:
- 在太阳能发电系统中,AP09N90CW-HF-VB 可以用作逆变器模块的关键部件,帮助将直流电转换为交流电,并实现高效能量转换。
4. **医疗设备**:
- 适用于医疗设备中的高压电源管理和控制模块,确保设备的稳定运行和安全性。
5. **通信基站**:
- 在通信基站的电源供应和管理系统中,该 MOSFET 可以应用于高压开关电源和功率管理单元,保证通信设备的长期稳定运行。
通过以上示例,可以看出 AP09N90CW-HF-VB 在高压和高电流处理要求的应用中具有广泛的应用前景,能够满足多种复杂系统的功率管理和控制需求。
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