--- 产品参数 ---
- 封装 TO252
- 沟道 Single-P
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
AP15P15GH-VB 是一款单P沟道MOSFET,采用先进的沟槽技术,封装为TO252。它具备高电压承受能力和低导通电阻,适用于需要处理负载的高压应用场合。该器件设计精良,可提供可靠的性能和长期稳定性。
### 详细参数说明
- **型号**: AP15P15GH-VB
- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单P沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: -150V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -2V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 160mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: -15A
- **技术类型**: 沟槽
### 应用领域和模块
AP15P15GH-VB MOSFET 在以下领域和模块中得到广泛应用:
1. **电源开关模块**:由于其高电压承受能力和低导通电阻,该MOSFET适用于各种电源开关模块,包括DC-DC转换器、逆变器和电池管理系统。它能够有效地管理电流和提供高效的功率转换。
2. **电动车充电控制**:在电动车充电控制器中,AP15P15GH-VB 可以用于充电开关和电池管理,确保充电效率和安全性。
3. **高压负载开关**:适用于需要处理高压负载的开关应用,如工业控制系统、电动工具和机械设备中的电机驱动。
4. **功率逆变器**:在太阳能逆变器和UPS系统中,该MOSFET能够有效地处理高功率转换和高频开关,提高能源利用率和系统稳定性。
通过以上应用示例,可以看出AP15P15GH-VB MOSFET适用于需要高电压承受能力、低导通电阻和高功率处理的各种工业和电子应用领域。
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