### 产品简介
AP15TP1R0M-VB 是一款单P沟道MOSFET，采用先进的沟槽技术，封装为SOP8。它设计用于负责低功率和低电流的应用，提供了良好的性能和可靠性。
### 详细参数说明
- **型号**: AP15TP1R0M-VB
- **封装类型**: SOP8
- **配置**: 单P沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: -200V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -2V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 2400mΩ @ VGS=4.5V
- 2000mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: -3.6A
- **技术类型**: 沟槽
### 应用领域和模块
AP15TP1R0M-VB MOSFET 可以适用于以下领域和模块：
1. **低功率开关**: 由于其较高的导通电阻和低功率特性，该MOSFET适合于低功率开关电路，如电源管理、低功耗电子设备和传感器接口。
2. **电池管理**: 在移动设备和便携式电子产品的电池管理系统中，AP15TP1R0M-VB 可以用于电池保护开关和电池充放电控制。
3. **电源转换器**: 适用于小型DC-DC转换器和低功率开关电源，如笔记本电脑适配器和USB充电器中的开关电源部分。
4. **电流调节**: 在各种需要精确电流调节的应用中，如LED驱动、电子调节器和精密仪器中的电流控制电路。
通过这些应用示例，可以看出AP15TP1R0M-VB MOSFET 在低功率和低电流应用中的重要性和适用性，为这些领域的电路设计提供了灵活和可靠的解决方案。
