--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23-6
- 沟道 Single-P
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 1. 产品简介:
AP2605GY-HF-VB 是一款单P沟道功率场效应管(Power MOSFET),采用SOT23-6封装。它具有负向低压耐受能力(最大-30V VDS)、低导通电阻(RDS(ON)为49mΩ@VGS=10V)、以及-4.8A的漏极电流能力。采用Trench技术,这款器件适用于低压功率开关和电路保护应用。
### 2. 参数说明:
- **型号:** AP2605GY-HF-VB
- **封装:** SOT23-6
- **配置:** 单P沟道
- **最大漏极-源极电压(VDS):** -30V
- **最大栅极-源极电压(VGS):** ±20V
- **阈值电压(Vth):** -1.7V
- **导通电阻(RDS(ON)):**
- 54mΩ @ VGS=4.5V
- 49mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID):** -4.8A
- **技术:** Trench
### 3. 应用举例:
AP2605GY-HF-VB 在以下领域和模块中有广泛应用:
- **移动设备:** 适用于智能手机、平板电脑和便携式电子设备中的电源管理和电路保护。
- **笔记本电脑:** 在笔记本电脑和便携式计算机的电源适配器和电池管理系统中,用于电源开关和功率控制。
- **消费电子:** 在消费类电子产品如数码相机、便携式音频设备和家用电子设备中,作为电路保护和功率开关的关键组件。
- **电动工具:** 在电动工具的电动驱动系统中,支持高效的电源管理和电机控制。
- **LED照明:** 用于小型LED照明设备的电源开关和电流控制,如LED灯带和小型照明灯具。
这些例子展示了 AP2605GY-HF-VB 在多个低压功率应用中的广泛应用,其优异的性能特性使其成为各种电子设备和系统中的理想选择。
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