--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23-6
- 沟道 Single-P
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### AP2607GY-VB 产品简介
AP2607GY-VB是一款单P沟道MOSFET,采用先进的Trench技术制造,适用于低压和低功率应用。其封装为SOT23-6,具有小型化、低功耗和快速开关特性,适合在便携设备和低功率电子设备中使用。
### AP2607GY-VB 参数说明
- **封装类型**:SOT23-6
- **配置**:单P沟道
- **漏源电压(VDS)**:-30V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:-1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 54mΩ @ VGS = 4.5V
- 49mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流(ID)**:-4.8A
- **技术**:Trench
### AP2607GY-VB 应用领域和模块
1. **便携设备**:
AP2607GY-VB适用于便携设备中的电源管理和电池保护电路。其小型化的封装和低漏源电压特性使其能够在手机、平板电脑和便携式电子设备中实现高效的电源管理和节能控制。
2. **电池充放电保护**:
在电池管理系统中,AP2607GY-VB可以用作电池充放电保护开关,确保电池在充电和放电过程中的安全和稳定性。其低导通电阻和高速开关特性有助于减少能量损耗和提高电池寿命。
3. **低功耗电子设备**:
在低功耗电子设备中,如传感器节点、智能家居设备和可穿戴技术,AP2607GY-VB可以用于功率管理和信号控制。其快速响应和低功耗特性适合于要求高效能和长电池续航时间的应用场合。
4. **汽车电子**:
在汽车电子系统中,AP2607GY-VB可以用作电池管理和辅助电路开关,如车载充电器和辅助电源控制。其高速开关和稳定的性能有助于提高汽车电子系统的可靠性和效率。
通过以上描述,可以看出AP2607GY-VB在多个领域和模块中有着广泛的应用前景,其小型化、低功耗和先进的Trench技术制造使其成为各种低压、低功率电子设计中的理想选择。
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