企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

英飞凌工业半导体

同名公众号致力于打造电力电子工程师园地,英飞凌功率半导体产品、技术和应用的交流平台,包括工程师应用知识和经验分享,在线课程、研讨会视频集锦。

260 内容数 23w+ 浏览量 93 粉丝

新品 | 采用IPM IM323 1500W电机驱动的评估板

IPM
型号: EVAL-M1-IM323
品牌: Infineon(英飞凌)

--- 产品详情 ---

 

评估板EVAL-M1-IM323是用于IM323系列CIPOS™ IPM的评估,它的目标应用为三相电机驱动,大家电,如空调、泵、风扇和其他变频驱动器。

 

产品特点

输入电压165Vac至265Vac

165Vac时最大12A的输入电流

220Vac时最大1500W的电机输出功率

用于电路保护的浪涌电流限制

板载EMI滤波器通过EMI标准EN55032

辅助电源为15V、3.3V

过电流硬件保护和过温度保护

采样直流母线电压

热敏电阻输出

 

应用价值

在你的应用系统中评估IM323 IPM

易于评估—缩短产品开发周期

经过UL认证的封装和温度传感器

更小的尺寸,允许更小的PCB

 

目标应用

油烟机风扇

电机控制和驱动

住宅空调——电机、系统控制和监测

住宅热泵

洗衣机和烘干机电机控制——更安静的系统

 

框图

 

 

欢迎关注微信公众号【英飞凌工业半导体】

为你推荐

  • 白皮书导读 | 电机驱动系统中的宽禁带开关器件2024-12-25 17:30

    样品活动进行中,扫码了解详情近年来,电动汽车的兴起带动了宽禁带器件的应用,并逐渐渗透到各个市场。目前,工业电机主要使用逆变器来提高能效等级,这些逆变器在使用传统硅MOSFET和IGBT作为功率开关时存在一些限制,如总体损耗较高、开关频率和功率输送受限等。随着第三代半导体的兴起,宽禁带器件的应用使得提高电机的功率密度、功率输送能力和效率成为可能。《电机驱动系统
  • 功率器件热设计基础(十)——功率半导体器件的结构函数2024-12-23 17:31

    样品活动进行中,扫码了解详情/前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识,相关标准和工程测量方法。为什么引入结构函数?在功率器件的热设计基础系列文章《功率半导体壳温和
  • 新品 | 750V 8mΩ CoolSiC™ MOSFET2024-12-20 17:04

    750V8mΩCoolSiCMOSFET采用TO-247-4封装的新型CoolSiCMOSFET750VG1是高度坚固的SiCMOSFET,具有最佳的系统性能和可靠性。CoolSiCMOSFET750V充分利用了英飞凌20多年的SiC经验。它在性能、可靠性和坚固性方面都具有优势,并具有栅极驱动灵活性,从而简化了系统设计,提高了成本效益,实现了最高的效率和功率
    119浏览量
  • 新品 | 6EDL04x065xT 系列三相栅极驱动器2024-12-19 19:00

    样品活动进行中,扫码了解详情新品6EDL04x065xT系列三相栅极驱动器650V三相栅极驱动器,带过电流保护(OCP)、使能(EN)、故障检测和集成自举二极管(BSD)产品型号:■6EDL04I065NT■6EDL04I065PT■6EDL04N065PT产品特点英飞凌薄膜-SOI技术最大阻断电压+650V输出源/吸收电流+0.165A/-0.375A集成
  • 抢先领取!高压CoolGaN™ GIT HEMT可靠性白皮书推荐2024-12-18 17:20

    高压CoolGaNGITHEMT(高电子迁移率晶体管)可靠性和验证的白皮书共33页,被翻译成中文和日文,主要介绍了英飞凌如何实现CoolGaN技术和器件使用寿命,且大幅超过标准的规定,详细阐述了英飞凌用于验证CoolGaN器件的四个方面的流程。硅的故障机制清晰,验证方法非常成熟,但传统的硅验证工艺无法直接应用于GaN技术产品,因为GaN器件的材料和结构特性与
  • 英飞凌CoolSiC™ MOSFET 2000V再获殊荣,荣获极光奖两项大奖2024-12-17 17:03

    英飞凌的CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件再度赢得行业殊荣,荣获2024年度极光奖“年度影响力产品”奖项。与此同时,凭借其在碳化硅技术领域的持续创新突破及产品性能的显著提升,英飞凌被授予“第三代半导体年度标杆领军企业”的荣誉。点击可查看大图此外,作为功率半导体行业的领导者,英飞凌持续致力于碳化硅技术的革新与发展,推动市场向更高功率等级与更高能
    333浏览量
  • 功率器件热设计基础(九)——功率半导体模块的热扩散2024-12-16 17:22

    样品活动进行中,扫码了解详情/前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识,相关标准和工程测量方法。任何导热材料都有热阻,而且热阻与材料面积成反比,与厚度成正比。按道理
  • 新品 | 6EDL04x065xR 和 6EDL04N03PR 系列三相栅极驱动器2024-12-13 17:04

    新品6EDL04x065xR和6EDL04N03PR系列三相栅极驱动器650V和300V三相栅极驱动器,带过电流保护(OCP)、使能(EN)、故障检测和集成自举二极管(BSD)产品型号:■6EDL04I065NR■6EDL04I065PR■6EDL04N065PR■6EDL04N03PR产品特点英飞凌薄膜-SOI技术最大阻断电压+650V输出源/吸收电流+0
    126浏览量
  • 新品 | 3300V,1600A二极管IHV B模块2024-12-12 17:03

    新品3300V,1600A二极管IHVB模块知名的IHVBIHVB3.3kV单开关IGBT模块经过了重大改进,以满足牵引和工业应用(如中压传动或HVDC)当前和未来的要求。这是首次扩展二极管产品组合,DD1600S33HE4是同类最佳的3.3kV二极管模块,足以取代原来2个双二极管3.3kV模块。它采用发射极可控EmCon4二极管,功率循环能力更强,标准封装
    144浏览量
  • 深度 | GaN还是SiC,电气工程师该如何选择?2024-12-11 17:04

    /编辑推荐/氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET是近年来新兴的功率半导体,相比于传统的硅材料功率半导体,他们都具有许多非常优异的特性:耐压高,导通电阻小,寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性:氮化镓晶体管的极小寄生参数,极快开关速度使其特别适合高频应用。碳化硅MOSFET的易驱动,高可靠等特性使其适合于高性能开关电源中。本文基于英飞凌科技有限公司的氮化镓晶体