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羲顿科技

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碳化硅MOSFET 森国科

型号: KM040120-J KM040120-R

--- 产品参数 ---

  • 阻断电压1200V RDS(ON)在25℃ 40mΩ
  • 耗散功率325W 最高结温150℃
  • 封装形式TO-247 额定电流60A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

碳化硅MOSFET

 

碳化硅MOSFET分立器件适用于硬开关和谐振开关拓扑如功率因数校正(PFC)电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器等。其抵御有害寄生导通效应的出色能力,树立了低动态损耗方面的标杆,即使在桥接拓扑中的零伏关断电压下也是如此。1200 V碳化硅 MOSFET系列适用于工业领域,如工业电源,充电桩电源模组和不间断电源(UPS)。

 

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