型号 IRLML6302TRPBF丝印 VB2290品牌 VBsemi参数说明 MOSFET类型 P沟道 额定电压(VDS) 20V 额定电流(ID) 4A 开通电阻(RDS(ON)) 57mΩ@4.5V, 83mΩ@2.5V 阈值电压(Vth) 0.81V 封装类型 SOT23应用简介 这款IRLML6302TRPBF MOSFET是一款低压P沟道MOSFET，适用于低压应用场景。它具有较低的额定电压和额定电流，适用于低功率开关和功率转换的应用。这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块 电源管理模块 用于低压开关电源、DCDC变换器、逆变器等低功率电源模块。 电池管理模块 用于低压电池充放电保护、电池管理系统等低功率电池应用。 小功率开关模块 用于低压开关电路、低功率开关控制等应用。 消费电子模块 用于低压低功率的消费电子产品中的功率管理和开关模块。总之，IRLML6302TRPBF MOSFET适用于低压低功率P沟道MOSFET的各种应用场景，提供稳定可靠的电流控制和低功率转换功能，特别适用于低压低功率应用的模块。
--- 产品参数 ---
- 类型 P沟道
- 额定电压(VDS) 20V
- 额定电流(ID) 4A
- 开通电阻(RDS(O 57mΩ@4.5V, 83mΩ
- 阈值电压(Vth) 0.81V
- 封装类型 SOT23
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
为你推荐
-
64CN10N-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-16 13:44
产品型号：64CN10N-VB 封装：TO252 沟道：Single-N -
6416NALG-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-16 13:43
产品型号：6416NALG-VB 封装：TO252 沟道：Single-N -
6416ANG-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-16 13:42
产品型号：6416ANG-VB 封装：TO252 沟道：Single-N -
6415NALG-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-16 13:40
产品型号：6415NALG-VB 封装：TO252 沟道：Single-N -
6415ANG-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-16 11:50
产品型号：6415ANG-VB 封装：TO252 沟道：Single-N -
6415AN LG-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-16 11:43
产品型号：6415AN LG-VB 封装：TO252 沟道：Single-N -
6414ANG-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-16 11:41
产品型号：6414ANG-VB 封装：TO252 沟道：Single-N -
638Z-VB一款Single-P沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-16 11:40
产品型号：638Z-VB 封装：SOT23-6 沟道：Single-P -
630GP-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-16 11:29
产品型号：630GP-VB 封装：TO220 沟道：Single-N -
62YW-VB一款Dual-N+N沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-16 11:28
产品型号：62YW-VB 封装：SOT23-6 沟道：Dual-N+N