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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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SI9435DY-T1-E3-VB-SOP8封装P沟道MOSFET

型号: SI9435DY-T1-E3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 类型 P沟道
  • 工作电压 -30V
  • 工作电流 -6A
  • 开通电阻 40mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V)
  • 阈值电压 -1.5Vth(V)
  • 封装 SOP8

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

型号   SI9435DY-T1-E3-VB
丝印   VBA2333
品牌   VBsemi
参数  
 P沟道
 工作电压  -30V
 工作电流  -6A
 开通电阻  40mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V)
 阈值电压  -1.5Vth(V)
 封装  SOP8

详细参数说明  
1. 本产品为P沟道MOSFET,适用于负极性电压应用。
2. 工作电压为-30V,可在-30V的电压范围内稳定工作。
3. 最大工作电流为-6A,允许通过的最大电流为6A。
4. 开通电阻为40mΩ@10V和54mΩ@4.5V,20Vgs(±V),表示在不同电压下的导通状态时的电阻值。
5. 阈值电压为-1.5Vth(V),表示正向才能使MOSFET导通的电压。

应用简介  
本产品适用于需要负极性电源的应用场景,例如  
1. 电源管理模块  用于负极性电源的开关控制和电流管理。
2. 电源逆变器  用于将正极性电源逆变为负极性电源,适用于负极性电压要求的场景。

这些产品主要用在需要负极性电源的模块中,例如电源管理模块和电源逆变器。

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