--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 SOP8封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:RSS100N03TB-VB
丝印:VBA1311
品牌:VBsemi
参数:
- N沟道
- 最大耐压:30V
- 最大漏电流:12A
- 静态导通电阻(RDS(ON)):12mΩ @ 10V, 15mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压(Vth):0.8V to 2.5V
- 封装:SOP8
应用简介:
RSS100N03TB-VB是一款N沟道场效应晶体管,适用于中功率电子应用。它具有低导通电阻和耐压特性,适合用于中功率电子系统。
领域模块应用:
1. DC-DC转换器模块:RSS100N03TB-VB可用于中功率DC-DC电源转换器,以提供有效的电能转换。
2. 电机控制模块:在中功率电机控制和驱动电路中,它能够提供所需的电流和效率。
3. 电源管理模块:适用于中功率电源管理模块,如逆变器和电源开关控制器。
这些特性使RSS100N03TB-VB在多种中功率电子应用中有广泛的应用。
为你推荐
-
4501GD-VB一款Dual-N+P沟道DIP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-08 16:54
产品型号:4501GD-VB 封装:DIP8 沟道:Dual-N+P -
4501AGEM-VB一款Dual-N+P沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-08 16:32
产品型号:4501AGEM-VB 封装:SOP8 沟道:Dual-N+P -
4500M-VB一款Dual-N+P沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-08 16:31
产品型号:4500M-VB 封装:SOP8 沟道:Dual-N+P -
4500GM-VB一款Dual-N+P沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-08 16:30
产品型号:4500GM-VB 封装:SOP8 沟道:Dual-N+P沟 -
44N4LF6-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-08 16:29
产品型号:44N4LF6-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
44MIS8207-VB一款Dual-N+N沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-08 16:27
产品型号:44MIS8207-VB 封装:SOT23-6 沟道:Dual-N+N -
4440W-VB一款Single-N沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-08 16:26
产品型号:4440W-VB 封装:SOP8 沟道:Single-N -
443M-VB一款Single-P沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-08 16:25
产品型号:443M-VB 封装:SOT23-6 的:Single-P -
4438M-VB一款Single-N沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-08 16:24
产品型号:4438M-VB 封装:SOP8 沟道:Single-N -
4438GM-VB一款Single-N沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-08 16:22
产品型号:4438GM-VB 封装:SOP8 沟道:Single-N