--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 TO220F封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号: 5N60-TO220F-VB
丝印: VBMB165R04
品牌: VBsemi
参数:
- 封装类型: TO220F
- 沟道类型: N-Channel
- 额定电压: 650V
- 最大电流: 4A
- 开态电阻: RDS(ON) = 2560mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: Vth = 3.8V
封装: TO220F
**详细参数说明:**
1. **封装类型 (Package Type):** TO220F,表明该器件使用TO220F封装。
2. **沟道类型 (Channel Type):** N-Channel,指示这是一个N沟道MOSFET。
3. **额定电压 (Rated Voltage):** 650V,说明器件能够正常工作的最大电压。
4. **最大电流 (Maximum Current):** 4A,表示器件能够承受的最大电流。
5. **开态电阻 (On-State Resistance):** RDS(ON) = 2560mΩ @ VGS=10V, VGS=20V,说明在特定的栅源电压下,开态时的电阻。
6. **阈值电压 (Threshold Voltage):** Vth = 3.8V,表示在栅源电压作用下,器件从关态切换到开态所需的电压。
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B6/FC/wKgZomV6YhqAET16AADXz9Xf9fw457.png)
**应用简介:**
5N60-TO220F-VB是一款高压N-Channel MOSFET,适用于多种应用领域,包括但不限于:
1. **电源开关:** 由于其高电压和N沟道性质,可用于高压电源开关和电源逆变器。
2. **电源逆变器:** 用于高压太阳能逆变器和其他高压电源逆变器,提供高效的能量转换。
3. **电源管理模块:** 适用于需要高电压的电源管理应用,如开关电源、电池管理等。
4. **照明系统:** 用于驱动高压LED和其他照明设备。
请注意,在具体设计中应仔细参考该器件的数据手册以及应用手册,以确保正确的使用和性能。
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