--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 TO251封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
VBsemi 9987GJ-VB MOSFET 参数:
- 封装:TO251
- 沟道类型:N—Channel
- 最大电压:100V
- 最大电流:15A
- RDS(ON):115mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压:1.41V
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B6/9C/wKgZomV5djiAHnBUAAGgTD4xdOU441.png)
应用简介:
该 MOSFET 适用于中功率应用,如电源开关、电机控制和功率逆变器。其N—Channel沟道类型使其在正电压操作的电路中具有优越性能。
使用领域模块:
1. 电源开关:作为正电压电源开关元件,用于中功率电源系统。
2. 电机控制:在中功率电机控制系统中作为电流控制元件。
3. 功率逆变器:用于需要N—Channel MOSFET的功率逆变器电路。
作用:
1. 提供中功率应用的高效能力。
2. 在电源开关和电机控制中实现正电压操作。
3. 适用于需要N—Channel MOSFET的功率逆变器电路。
使用注意事项:
1. 请按照数据手册提供的最大额定值操作,以避免损坏设备。
2. 在设计中考虑适当的散热措施,以确保器件在额定工作温度下稳定运行。
3. 避免超过最大额定电流和电压,以防止设备过载。
4. 在使用过程中,注意静电防护,避免损坏敏感元件。
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