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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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9987GJ-VB一款N沟道TO251封装MOSFET应用分析

型号: 9987GJ-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 沟道 N沟道
  • 封装 TO251封装

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

VBsemi 9987GJ-VB MOSFET 参数:
- 封装:TO251
- 沟道类型:N—Channel
- 最大电压:100V
- 最大电流:15A
- RDS(ON):115mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压:1.41V

应用简介:
该 MOSFET 适用于中功率应用,如电源开关、电机控制和功率逆变器。其N—Channel沟道类型使其在正电压操作的电路中具有优越性能。

使用领域模块:
1. 电源开关:作为正电压电源开关元件,用于中功率电源系统。
2. 电机控制:在中功率电机控制系统中作为电流控制元件。
3. 功率逆变器:用于需要N—Channel MOSFET的功率逆变器电路。

作用:
1. 提供中功率应用的高效能力。
2. 在电源开关和电机控制中实现正电压操作。
3. 适用于需要N—Channel MOSFET的功率逆变器电路。

使用注意事项:
1. 请按照数据手册提供的最大额定值操作,以避免损坏设备。
2. 在设计中考虑适当的散热措施,以确保器件在额定工作温度下稳定运行。
3. 避免超过最大额定电流和电压,以防止设备过载。
4. 在使用过程中,注意静电防护,避免损坏敏感元件。

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