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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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2307GN-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 2307GN-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 SOT23封装
  • 沟道 P—Channel

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

2307GN-VB 详细参数说明:

- 型号:2307GN-VB
- 丝印:VB2290
- 品牌:VBsemi
- 封装:SOT23
- 沟道类型:P—Channel
- 最大工作电压:-20V
- 最大漏极电流:-4A
- 静态漏极-源极电阻:57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
- 阈值电压:-0.81V

应用简介:

适用于要求P-Channel沟道的电路设计,特别适用于SOT23封装的应用场景。常见领域和模块包括:

1. **电源管理模块:** 由于其P-Channel沟道特性,2307GN-VB可用于电源开关和调节电路,提供高效能源管理。

2. **低功耗设备:** 适用于对功耗要求较高的电子设备,例如便携式电子产品和无线传感器网络。

3. **信号开关:** 在需要对信号进行快速、高效开关的应用中,如信号调理、放大和开关电路。

4. **嵌入式系统:** 用于嵌入式控制系统,提供可靠的电源开关和控制。

请注意,具体应用需根据电路设计和性能需求进行调整。

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