**2309N-VB**
- **丝印：** VB2355
- **品牌：** VBsemi
- **参数：**
- 封装：SOT23
- 极性：P—Channel
- 额定电压：-30V
- 额定电流：-5.6A
- 开关电阻：RDS(ON)=47mΩ@VGS=10V,VGS=20V
- 阈值电压：Vth=-1V
**详细参数说明：**
2309N-VB是VBsemi品牌推出的P—Channel沟道场效应晶体管，采用SOT23封装。具有额定电压-30V、额定电流-5.6A、低开关电阻RDS(ON)为47mΩ@VGS=10V和VGS=20V，阈值电压Vth为-1V。适用于各种电子设计需求。
**应用简介：**
2309N-VB在电子领域广泛应用，特别适用于：
- **功率管理模块：** 在功率管理电路中，2309N-VB可用于实现高效的电源开关控制，提供可靠的电流和电压调节。
- **电源逆变器：** 由于其优越的电压和电流特性，2309N-VB可用于电源逆变器，提高系统的能效和性能。
- **驱动电路：** 作为P—Channel沟道场效应晶体管，适用于各种驱动电路，可在低电压和低功耗条件下提供高效能的驱动。
**领域应用：**
1. **消费电子产品：** 如手机、平板电脑等电子设备的功率管理模块。
2. **工业电子：** 用于驱动电机、逆变器等工业电子设备。
3. **通信设备：** 用于功率放大和信号处理模块。
2309N-VB是一款高性能的P—Channel沟道场效应晶体管，为各种电子应用提供可靠的解决方案。
