--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23封装
- 沟道 P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**2SJ345-VB Transistor**
- **丝印:** VB264K
- **品牌:** VBsemi
- **参数:**
- 封装:SOT23
- 极性:P—Channel沟道
- 最大耐压:-60V
- 最大电流:-0.5A
- 开通电阻:RDS(ON)=3000mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压:Vth=-1.87V
- **封装:** SOT23
**详细参数说明:**
2SJ345-VB是一款P—Channel沟道场效应晶体管,采用SOT23封装,具有以下特性:最大耐压为-60V,最大电流为-0.5A。开通电阻在不同门源电压下分别为3000mΩ(VGS=10V)和3000mΩ(VGS=20V)。阈值电压为-1.87V。
**应用简介:**
2SJ345-VB适用于多种电子设备和模块,包括但不限于:
1. **电源管理模块:** 由于其P—Channel沟道特性,可在电源管理模块中实现高效能耗控制。
2. **音频放大器:** 适用于音频放大器电路,提供可靠的信号放大功能。
3. **电源逆变器:** 在电源逆变器中,通过其低开通电阻和适度的电流能力,实现有效的电能逆变。
请注意,以上仅为示例,实际应用需根据具体设计要求和电路条件进行调整。
为你推荐
-
9R340C-VB TO220一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-27 13:45
产品型号:9R340C-VB TO220 封装:TO220 沟道:Single-N -
9R1K2C-VB TO252一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-27 13:42
产品型号:9R1K2C-VB TO252 封装:TO252### 一、9R1K2C-VB 产品简介 9R1 沟道:Single-N -
9R1K2C-VB TO247一款Single-N沟道TO247的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-27 13:39
产品型号:9R1K2C-VB TO247 封装:TO247 沟道:Single-N -
9R1K2C-VB TO220F一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-27 13:37
产品型号:9R1K2C-VB TO220F 封装:TO220F 沟道:Single-N -
9R1K2C-VB TO220一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-27 11:58
产品型号:9R1K2C-VB TO220 封装:TO220 沟道:Single-N -
9R1K0C-VB TO247一款Single-N沟道TO247的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-27 11:53
产品型号:9R1K0C-VB TO247 封装:TO247 沟道:Single-N -
9R1K0C-VB TO220F一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-27 11:46
产品型号:9R1K0C-VB TO220F 封装:TO220F 沟道:Single-N -
9R1K0C-VB TO220一款9R1K0C-VB TO220沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-27 11:44
产品型号:9R1K0C-VB TO220 封装:TO220 沟道:9R1K0C-VB TO220 -
9R120C-VB一款Single-N沟道TO247的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-27 11:42
产品型号:9R120C-VB 封装:TO247 沟道:Single-N -
9NM60N-VB TO252一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-27 11:40
产品型号:9NM60N-VB TO252 封装:TO252 沟道:Single-N