--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8封装
- 沟道 N+P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**4525GEM-VB**
**丝印:** VBA5638
**品牌:** VBsemi
**封装:** SOP8
**详细参数说明:**
- N+P—Channel沟道
- 额定电压:±60V
- 最大电流:6.5A(正向),5A(反向)
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):28mΩ(正向,VGS=10V),51mΩ(反向,VGS=20V)
- 门源极阈值电压(Vth):±1.9V
**应用简介:**
4525GEM-VB是一款N+P—Channel沟道MOSFET,具有较高的额定电压和电流能力,适用于各种功率控制、电源管理和开关应用。
**举例说明:**
1. **电源管理模块**:4525GEM-VB可用于电源管理模块中,用于开关电源、电池充放电管理等。其高额定电压和电流能力,以及低漏极-源极电阻,使其在这些模块中具有良好的性能和可靠性。
2. **电动车辆充电模块**:在电动车辆充电桩中,4525GEM-VB可用作充电控制模块的开关器件,实现电动车辆的快速充电和安全保护。其高额定电压和电流能力使其成为这些模块中的理想选择。
3. **电机驱动模块**:在电机驱动模块中,4525GEM-VB可用作开关管,实现电机的正向和反向控制。其高可靠性和低漏极-源极电阻特性使其成为这些模块中的理想选择。
综上所述,4525GEM-VB适用于电源管理、电动车辆充电、电机驱动等领域的模块设计,具有良好的性能和应用前景。
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