--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23封装
- 沟道 P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**VBsemi J461A-T1B-AT-VB MOSFET**
**详细参数说明:**
- 品牌: VBsemi
- 产品型号: J461A-T1B-AT-VB
- 封装: SOT23
- 极性: P—Channel
- 最大漏极电压(VDS): -60V
- 最大漏极电流(ID): -0.5A
- 导通电阻(RDS(ON)): 3000mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth): -1.87V
**应用简介:**
J461A-T1B-AT-VB是一款P—Channel类型的MOSFET,广泛适用于多种电路设计和应用场景。其低漏极电阻和适中漏极电流使其在不同领域中发挥出色。
**适用领域和模块示例:**
1. **电源开关模块:** 由于J461A-T1B-AT-VB的P—Channel沟道特性,可用于电源开关控制,提高电源模块的效率和可靠性。
2. **放大器前端:** 在音频放大器等放大电路中,J461A-T1B-AT-VB可作为关断开关,帮助实现对信号的精确控制。
3. **电流源:** 适用于需要P—Channel MOSFET的电流控制电路,例如电流源电路。
4. **逆变器和开关电源:** 可用于逆变器和开关电源中,协助实现电能的转换和管理。
请根据具体电路设计需求和参数匹配,选择合适的应用领域和模块。
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