--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23封装
- 沟道 N—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**产品型号:** ROK0604IGDQA-VB
**丝印:** VB1695
**品牌:** VBsemi
**参数:**
- 封装:SOT23
- 沟道类型:N—Channel
- 最大耐压:60V
- 最大电流:4A
- 开通电阻:RDS(ON)=85mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压:Vth=1~3V
**封装:** SOT23
**产品应用简介:**
ROK0604IGDQA-VB是一款SOT23封装的N-Channel沟道MOSFET,具有60V最大耐压、4A最大电流和低的开通电阻。该器件适用于各种应用场景,特别是在需要控制电流、降低功耗的电子系统中表现优越。
**应用领域举例:**
1. **电源模块:** 由于其较低的开通电阻和高电流特性,适用于电源模块,有助于提高整体功率效率。
2. **电机驱动:** 可用于电机驱动模块,帮助实现精确的电机控制和高效的能量转换。
3. **电源开关:** 用作电源开关,有助于提高开关电源的性能和效率。
总体而言,ROK0604IGDQA-VB适用于需要高性能N-Channel MOSFET的电子系统和模块,包括但不限于电源、电机控制和开关电源等领域。
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