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SD卡具有SDHC的速度等级,范围;2级(以2 MB / s的速度运行);4级(以4MB / s的速度运行);6级(以最高6 MB / s的速度运行);10级(以最高的速度运行) 10 MB /秒;...
长江存储晶栈Xtacking架构的原理就是在两片独立的晶圆上,分别加工外围电路和存储单元,然后在芯片封装阶段将两者合二为一,更高效率的同时也实现了更高的密度、更快的速度。...
通常我们将存储容量表示为:字数X位数,比如64KX8位,其含义为,以8位构成一个字,一共有64个字。这个概念要相当熟悉,后面理解题目很有用。...
MRAM或磁性随机存取存储器使用具有铁磁性材料的磁性“状态”的1晶体管–1磁性隧道结(1T-1MTJ)体系结构作为数据存储元素。...
MRAM是以磁性隧道结(MTJ)储存单元为基础。MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层,和一个通过隧道结与其隔离的自由层。当自由层被施予和固定层相同方向的极化时,MTJ的隧道结便会显现出低电阻特性;反之MTJ便会有高电阻。...
ram也叫主存,是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写(刷新时除外)且速度很快,通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储介质。...
这种ROM的特点是可以随机访问和修改任何一个字节,可以往每个bit中写入0或者1。这是最传统的一种EEPROM,掉电后数据不丢失,可以保存100年,可以擦写100w次。...
随机存取存储器 (RAM)的名称源自 CPU 访问它的方式,CPU对其进行随机扫描以获取适当的信息,而不是遵循严格的指示。这是为了均衡所有存储的数据位之间的访问时间。...
Burst Length: 突发(Burst) 是指在同一行中相邻的存储单元连续进行数据传输的方式。连续传输的周期数就是突发长度 (Burst Lengths,简称BL)。...
LPDDR是在DDR的基础上多了LP(Low Power)前缀,全称是Low Power Double Data Rate SDRAM,简称“低功耗内存”,是DDR的一种,以低功耗和小体积著称。...
在最为重要的内存颗粒上,根据软件检测,这款内存采用了编号为“H5CG48AEBDX018”的SK海力士A-die颗粒,与市面上大部分DDR5 7600、DDR5 8000等高速率内存使用的颗粒相同,这也意味着该内存可能具备优秀的超频潜力。...
通过ReRAM和BCD技术的协同作用,通关键目标之一是实现单片集成,让模拟、数字和功率组件能够无缝地共存于同一芯片上,不仅仅简化了设计流程,还提升了整体系统性能,高度集成的电路将降低与外部组件和多个芯片相关的复杂性。...
由于内存接口芯片的大规模商用要经过下游厂商的多重认证,还要攻克低功耗内存接口芯片的核心技术难关,从 DDR4 世代开始,全球内存接口芯片厂商仅剩 Rambus、澜起科技和瑞萨(原 IDT)三家厂商。...
长江存储致态TiPlus7100 4TB固态硬盘在测试中的表现非常优秀,其顺序读取速度大幅超越标称的7000MB/s,在CrystalDiskMark中的顺序读取速度高达7436MB/s,同时其最高顺序写入速度也达到了6514.01MB/s,同样明显超过其标称的6000MB/s顺序写入速度。...
磁盘阵列是一种企业级存储系统(RAID级别和磁盘阵列可以提高数据的可靠性和性能。在选择磁盘阵列时,需要考虑容量、性能、可靠性和可扩展性等因素,并进行定制化的配置以达到最佳性价比。...
靠近 CPU 的小、快速的高速缓存存储器(cache memory)做为一部分存储在相对慢速的主存储器(main memory)中数据和指令的缓冲区域。...
FRAM具有其他传统内存产品所不具备的四个突出特性。特点是:“非易失性”、“高读写耐久性”、“写入速度快”和“低功耗”。...
大模型时代AI芯片必备HBM内存已是业内共识,存储带宽也成为AI芯片仅次于算力的第二关健指标,甚至某些场合超越算力,是最关键的性能指标,而汽车行业也开始出现HBM内存。...
电阻式内存 (Resistive Random Access Memory, RRAM) 结构为简单的金属-绝缘层-金属 (Metal-Insulator-Metal, MIM),其原理为施予电压或电流操作,利用物质电阻改变组件的高低电阻状态,达成数字讯号储存效果。...
HBM 存储器堆栈通过微凸块连接到 HBM 堆栈中的硅通孔(TSV 或连接孔),并与放置在基础封装层上的中间件相连,中间件上还安装有处理器,提供 HBM 到处理器的连接。...