华进半导体指导项目喜获第二届 “集萃创新杯”二等奖
2022年5月24日，由长三角国家技术创新中心、江苏省产业技术研究院组织开展的“第二届集萃创新杯”活动颁奖典礼顺利召开，华进半导体陈天放、陶煊及北京邮电大学张金玲教授共同指导的“...
2022-05-26 2194
Cadence分析 3D IC设计如何实现高效的系统级规划
Cadence Integrity 3D-IC 平台是业界首个全面的整体 3D-IC 设计规划、实现和分析平台，以全系统的视角，对芯片的性能、功耗和面积 (PPA) 进行系统驱动的优化，并对 3D-IC 应用的中介层、封装和印刷电...
2022-05-23 5108
晶片清洗和热处理对硅片直接键合的影响
本实验通过这两种清洗方法进行标识分为四个实验组，进行了清洗实验及室温接合， 以上工艺除热处理工艺外，通过最小化工序内部时间间隔，抑制清洗的基板表面暴露在大气中的灰尘等杂质...
2022-05-16 1336
使用KOH各向异性蚀刻Si的光学器件的单掩模微制造（下）
接上回的实验演示 实验演示 非球面的制造包括以下步骤: 1.光刻掩模的设计和图案到沉积在硅晶片上的氧化层的转移； 2.KOH蚀刻以形成金字塔形凹坑； 3.去除氧化物掩模并进一步各向异性蚀...
2022-05-11 1062
使用KOH各向异性蚀刻Si的光学器件的单掩模微制造（上）
引言 我们报道了利用KOH水溶液中硅的各向异性腐蚀，用单掩模工艺进行连续非球面光学表面的微加工。使用这种工艺制造了具有几毫米量级的横向尺度和几微米量级的轮廓深度的精确的任意...
2022-05-11 1245
超声波频率对化学蚀刻过程的影响实验报告
超声增强化学腐蚀被用来制作多孔硅层，通过使用HF溶液和HNO3在p型(111)取向硅中制备多孔硅层，发现超声波改善了p型硅上多孔硅层的结构，用这种方法可以制作品质因数高得多的多孔硅微腔，...
2022-05-06 1324
半导体工艺 臭氧化去离子水去除最终抛光晶片上的颗粒
摘要 本研究开发了一种低拥有成本的臭氧去离子水清洗工艺。室温下40 ppm的臭氧浓度用于去除有机蜡膜和颗粒。仅经过商业脱蜡处理后，仍残留有厚度超过200的蜡残留物。由于臭氧的扩散限制...
2022-04-27 1821
多孔GaN的结构和光学特性
摘要 本文报道了铂辅助化学化学蚀刻制备的多孔氮化镓的结构和光学性能。扫描电镜图像显示，孔隙的密度随着蚀刻时间的增加而增加，而蚀刻时间对孔隙的大小和形状没有显著影响。原子力...
2022-04-27 1545
半导体工艺中化学机械抛光后刷洗的理论分析
摘要 化学机械平面化后的叶片清洗，特别是刷子擦洗，是半导体器件制造的一个关键步骤，尚未得到充分了解。临界粒子雷诺数方法用于评估在刷擦洗过程中去除晶圆表面的粘附颗粒，或者是...
2022-04-27 1595
长电科技子公司长电先进荣获德州仪器TI“2021年度卓越供应商奖”
近日，全球领先的集成电路制造和技术服务提供商长电科技（上交所代码：600584）子公司江阴长电先进封装有限公司（以下简称长电先进）荣获了德州仪器（TI）颁发的“2021年度卓越供应商奖”...
2022-04-20 2522
用SWOT分析法看中国大陆是否应该制定自己的Chiplet标准
电子发烧友网报道（文/吴子鹏）3月初的时候，英特尔、AMD、Arm、高通、台积电、三星、日月光、谷歌云、Meta、微软等行业巨头组建了一个Chiplet标准联盟，并制定了一套通用的Chiplet高速互联标...
2022-04-05 4678
3M比利时工厂被关停，全球冷却液产量减80%，或导致英特尔、三星至多3个月停产
电子发烧友网报道（文/黄山明）近日，据韩媒报道，由于比利时政府近期提高了过氟化合物（PFAS）的环保排放标准，导致3M在当地的半导体冷却液生产工厂无限期停产，而该工厂所生产的半导...
2022-04-03 8230
中芯国际2021年报显示营收增长39.3% 毛利率达30.8% 财务指标稳健增长
中芯国际集成电路制造有限公司宣布本公司及其子公司截至二零二一年十二月三十一日止年度经审核业绩。 （以下数据根据国际财务报告准则编制） 财务摘要 收入由2020年的3,907.0百万美元增长...
2022-03-31 2397
长电科技2021年度保持稳健发展势头
2021第四季度及全年财务亮点： 四季度实现收入为人民币85.9亿元，全年实现收入为人民币305.0亿元，创历年同期新高。四季度和全年收入同比分别增长11.5%和15.3%。 四季度经营活动产生现金人民...
2022-03-30 2410
半导体工艺之PVA刷擦洗 聚VA刷摩擦分析
引言 本文简要综述了所提出的清洗机制。然后介绍了聚VA刷摩擦分析结果。在摩擦分析中，刷的粘弹性行为、平板的表面润湿性以及刷的变形是重要的。此外，我们还介绍了PVA电刷和接触面之间...
2022-03-28 2420
泛林集团推三款开创性的选择性刻蚀产品 此前宣布季度股息1.5美元每股
泛林集团推三款开创性的选择性刻蚀产品 泛林集团深信创新不仅来自于创新者，更需要共同合作、精确细致和努力交付才能实现创新。我们助力第四次工业革命，也是世界领先半导体企业值得...
2022-03-22 3080
泛林集团推开创性的选择性刻蚀解决方案 加速实现3D
通过与客户、技术专家和产品团队的合作，他们已经在选择性刻蚀创新方面实现突破，这将使世界领先的芯片制造商得以提供下一代3D逻辑和存储设备。...
2022-03-22 2175
Achronix任命台积电资深高管Rick Cassidy为其董事会成员
“Cassidy先生为Achronix的董事会带来了其超过三十年的半导体和制造经验” 加利福尼亚州圣克拉拉市，2022年3月7日——高性能FPGA和嵌入式FPGA（eFPGA）半导体知识产权（IP ）领域的领导者 Achronix...
2022-03-08 6590
国产芯片何去何从？关于中国芯片这些话如鲠在喉
作为一家以AI、云计算、通信等技术为核心关注点的自媒体，芯片是永远无法绕开的话题。脑极体最早开始关注芯片是在2017年，彼时华为海思领先苹果发布了全球第一款移动AI芯片麒麟970；梁孟...
2022-03-08 8667
研究碳化硅衬底和外延的实验报告
摘要 本发明提供一种能够提供低位错缺陷的高质量衬底的单晶碳化硅锭，和由此获得的衬底和外延晶片。 它是一种包含单晶碳化硅的单晶碳化硅锭，该单晶碳化硅含有浓度为2X1018 cm-3至6X 1020...
2022-02-15 1963
GaN衬底制造过程中N面氮化镓清洗工艺的研究报告
氮化镓由于其宽的直接带隙、高热和化学稳定性，已成为短波长发射器（发光二极管和二极管激光器）和探测器等许多光电应用的诱人半导体，以及高功率和高温电子器件。对于实现先进的氮化...
2022-02-08 3574
SPM光刻工艺的研究报告
在这篇文章中，我们华林科纳演示了在钛薄膜上形成纳米尺度阳极氧化物的设备，以及在接触或半接触模式下使用NTMDT公司的求解器PROTM AFM对其进行表征。...
2022-02-08 1894
薄膜MLCC的技术报告
本文讨论了传统MLCC技术的最新技术，并将该技术与潜在的MLCC薄膜制造技术进行了比较,讨论了MLCC制造、相关限制、潜在制造技术和设计理念方面的薄膜技术的实用性。同时还考虑了电子行业的...
2022-02-08 2140
碳化硅和碳氮化硅薄膜的沉积方法
摘要 本文提供了在衬底表面上沉积碳化硅薄膜的方法。这些方法包括使用气相碳硅烷前体，并且可以釆用等离子体增强原子层沉积工艺。该方法可以在低于600“C的温度下进行，例如在大约23丁...
2022-02-07 1138
东芝新推出的1200V和1700V碳化硅MOSFET模块
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已推出两款碳化硅(SiC) MOSFET双模块：额定电压为1200V、额定漏极电流为600A的“MG600Q2YMS3”；额定电压为1700V、额定漏极电流为400A的“MG400V2YMS3”...
2022-02-01 5070
使用超临界二氧化碳剥离碳化光刻胶的实验
关键词:超临界清洗，离子注入光刻胶，光刻胶剥离 摘要 本文提出了一种有效的、环保的干剥离方法，使用超临界二氧化碳(SCCO2)系统，在40℃到100℃和压力从90巴到340巴时去除离子植入的光刻剂...
2022-01-27 2700
关于硅的湿化学蚀刻机理的研究报告
摘要 本文从晶体生长科学的角度回顾了单晶的湿化学蚀刻。起点是有光滑和粗糙的晶体表面。光滑面的动力学是由粗糙面上不存在的成核势垒控制的。因此后者蚀刻速度更快数量级。对金刚石...
2022-01-25 2212
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