使用晶片处理技术在硅中产生沟槽结构
本文讨论了一种使用容易获得的晶片处理技术在硅中产生沟槽结构的简单技术，通过使用(110)Si的取向相关蚀刻，可能在硅中产生具有垂直侧壁的沟槽，与该技术一起使用的某些溶液的蚀刻各向...
2022-05-05 924
半导体工艺 臭氧化去离子水去除最终抛光晶片上的颗粒
摘要 本研究开发了一种低拥有成本的臭氧去离子水清洗工艺。室温下40 ppm的臭氧浓度用于去除有机蜡膜和颗粒。仅经过商业脱蜡处理后，仍残留有厚度超过200的蜡残留物。由于臭氧的扩散限制...
2022-04-27 1507
多孔GaN的结构和光学特性
摘要 本文报道了铂辅助化学化学蚀刻制备的多孔氮化镓的结构和光学性能。扫描电镜图像显示，孔隙的密度随着蚀刻时间的增加而增加，而蚀刻时间对孔隙的大小和形状没有显著影响。原子力...
2022-04-27 1401
半导体工艺中化学机械抛光后刷洗的理论分析
摘要 化学机械平面化后的叶片清洗，特别是刷子擦洗，是半导体器件制造的一个关键步骤，尚未得到充分了解。临界粒子雷诺数方法用于评估在刷擦洗过程中去除晶圆表面的粘附颗粒，或者是...
2022-04-27 1366
硅晶片在氢氧化钾、TMAH和EDP溶液中的蚀刻速率
本文研究了氢氧化钾、TMAH（C6H4(OH)2)溶液中氢氧化铵（四甲基铵）和EDP(乙烯二胺(NH2(CH2)2NH2)的浓度和温度对硅表面的影响，制作了光滑的垂直墙和悬吊梳式结构。...
2022-04-26 2965
通过表面分析评估Cu-CMP工艺
半导体装置为了达成附加值高的系统LSI，需要高集成化，高速化，这其中新的布线材料，绝缘膜是不可缺少的。其中，具有低电阻的Cu，作为布线材料受到关注。化学机械抛光（CMP）和之后的清...
2022-04-26 1423
如何对氮化镓基发光二极管结构进行干法刻蚀
氮化镓作为一种宽带隙半导体，已被用于制造发光二极管和激光二极管等光电器件。最近已经开发了几种用于氮化镓基材料的不同干蚀刻技术。电感耦合等离子体刻蚀因其优越的等离子体均匀性...
2022-04-26 1951
半导体晶片键合的对准方法
多年来，半导体晶片键合一直是人们感兴趣的课题。使用中间有机或无机粘合材料的晶片键合与传统的晶片键合技术相比具有许多优点，例如相对较低的键合温度、没有电压或电流、与标准互补...
2022-04-26 3448
利用原子力显微镜测量硅蚀刻速率
本文提出了一种利用原子力显微镜(AFM)测量硅蚀刻速率的简单方法，应用硅表面的天然氧化物层作为掩膜，通过无损摩擦化学去除部分天然氧化物，暴露底下新鲜硅。因此，可以实现在氢氧化钾...
2022-04-22 1445
详解微机械中的各向异性刻蚀技术
单晶硅， 作为IC、LSI的电子材料， 用于微小机械部件的材料，也就是说，作为结构材料的新用途已经开发出来了。其理由是， 除了单晶SI或机械性强之外，还在于通过利用仅可用于单晶的晶体...
2022-04-22 3137
长电科技子公司长电先进荣获德州仪器TI“2021年度卓越供应商奖”
近日，全球领先的集成电路制造和技术服务提供商长电科技（上交所代码：600584）子公司江阴长电先进封装有限公司（以下简称长电先进）荣获了德州仪器（TI）颁发的“2021年度卓越供应商奖”...
2022-04-20 2289
300毫米直径硅片的快速热处理实验研究
在半导体热处理应用中，批处理在工业的早期阶段被采用，并且仍然非常流行。我们研究了直径为200毫米和300毫米的硅(100)晶片在单晶片炉中高温快速热处理过程中的热行为，该热行为是温度、...
2022-04-19 1092
通过臭氧微气泡进行半导体晶圆的光刻胶去除实验
半导体的清洗在制造工序中也是非常重要的。特别是光刻胶的去除是最困难的，一般使用硫酸和过氧化氢混合的溶液(SPM)等。但是，这些废液的处理是极其困难的，与环境污染有很大的关系，因...
2022-04-19 1061
浙江丽水新增半导体产业项目：旺荣半导体项目审核通过
近日，浙江丽水的旺荣半导体有限公司之前申请的建设8英寸功率器件项目已被政府审核通过。 据了解，旺荣将用其先进的电子器件生产设备来生产该项目的电子器件，该项目计划投资23.8亿人民...
2022-04-17 4545
单晶SiC晶圆加工过程中的低温湿法蚀刻
硅片在大口径化的同时，要求规格的严格化迅速发展。特别是由于平坦度要求变得极其严格，因此超精密磨削技术得以开发，实现了无蚀刻化，无抛光化。虽然在单晶SiC晶片上晶片磨削技术的开...
2022-04-15 1522
光伏硅片的超声化学清洗技术
近年来，太阳能电池和电池板等可再生能源的使用量显著增加。在已安装的光伏系统中，90%以上的是单晶硅电池和多晶硅电池，具有成本低、面积大、效率较高的优点。清洁硅晶片的表面是器件...
2022-04-12 2329
用于单晶片清洗的超临界流体
使用超临界流体去除污染物的过程，即高于其临界温度和压力的类气体物质。超临界流体具有类液体溶剂化特性和类气体扩散和粘度，使其能够快速穿透缝隙和边界层膜，并完全去除其中包含的...
2022-04-12 1109
硅的氧化物和氮化物的气相氟化氢蚀刻作用
本文研究了硅的氧化物和氮化物的气相氟化氢蚀刻作用，新的氧化物选择性模式，概述了通过将无水高频与控制量的水蒸汽混合而产生高频蒸汽蚀刻剂的实现方法，描述了一种通过将氮气通过高...
2022-04-11 1180
如何减少硅晶片表面上的金属杂质
本发明涉及一种半导体的制造。在清洗步骤后，“PIRANHA-RCA”清洗顺序的“SC 1”步骤中加入了预定浓度的EDTA等络合物形成剂，以减少残留在硅晶片表面的金属杂质。...
2022-04-08 1835
湿式蚀刻过程的原理是什么
湿式蚀刻过程的原理是利用化学溶液将固体材料转化为液体化合物，选择性非常高，因为所使用的化学物质可以非常精确地适应于单个薄膜。对于大多数溶液的选择性大于100：1。液体化学必须...
2022-04-07 2882
一种新的半导体超卤素深度分析方法
本文章提出了一种新的半导体超卤素深度分析方法，在通过臭氧氧化去除一些硅原子层，然后用氢氟酸蚀刻氧化物后，重复测量，然后确定了成分和表面电位的深度分布，因此这种分析技术提供...
2022-04-07 985
采用三种刻蚀方法制备黑硅材料
本文采用飞秒激光蚀刻法、深反应离子蚀刻法和金属催化化学蚀刻法制备了黑硅，研究发现，在400~2200nm的波长内，光的吸收显著增强，其中飞秒激光用六氟化硫蚀刻的黑硅在近红外波段的吸收...
2022-04-06 2689
华虹半导体研报 收入创历史新高较上年度增长69.6%
HUA HONG SEMICONDUCTOR LIMITED华虹半导体有限公司（于香港注册成立之有限公司） （股份代号：1347） 截至二零二一年十二月三十一日止年度全年业绩公告 财务摘要 华虹半导体有限公司（“本公...
2022-04-06 6123
北京赛莱克斯签署《战略合作框架协议》
日前，赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司与国际知名激光雷达厂商及其所属的子公司签署了《战略合作框架协议》，该公告由赛莱克斯的母公司、国内先进半导体企业赛微电子发布。 根据...
2022-04-02 2325
俄最大芯片制造商米克朗被美制裁
俄本土遭乌轰炸？或传递3个信号？还在一边和谈一边互攻的俄乌冲突似乎不会一下就停止，更何况外面还有很多欧美国家在煽风点火，比如在4月1日据外媒报道，美国财政部宣布对俄罗斯最...
2022-04-02 3030
台积电3nm制程国内公司相继参与其供应链
在长久的积累过后，台积电终于将在2022下半年开始3nm制程的量产工程，随着消息的放出，该工程的一部分耗材供应商也随之被公布了出来，其中国内的中国砂轮企业股份有限公司以及光洋应用...
2022-04-01 11713
中芯国际2021年报显示营收增长39.3% 毛利率达30.8% 财务指标稳健增长
中芯国际集成电路制造有限公司宣布本公司及其子公司截至二零二一年十二月三十一日止年度经审核业绩。 （以下数据根据国际财务报告准则编制） 财务摘要 收入由2020年的3,907.0百万美元增长...
2022-03-31 2174
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