微气泡对光刻胶层的影响
关键词:氧气、微气泡、光刻胶、高剂量离子注入、气水界面 介绍 微气泡是一种很有前途的环保光刻胶去除方法的候选方法。已经证明,臭氧微气泡可以去除硅片上的光刻剂,即使被高...
2022-01-10 1501
混合铝蚀刻剂的化学特性分析
摘要 我们华林科纳研究了正磷酸、聚磷酸、和铁(III)氯化物蚀刻剂对工艺条件变化的敏感性,以确定该蚀刻剂系统在纯铝电路光刻制造中的潜在生产应用。温度变化、正磷酸浓度、多磷酸浓度的...
2022-01-07 1288
多磷酸蚀刻剂的化学特性
摘要 在印刷和蚀刻生产厚金属膜中的精密图案时,需要对化学蚀刻剂有基本的了解,以实现工艺优化和工艺控制。 为了蚀刻纯铝电路,研究了正磷酸、多磷酸和氯化铁的配方。 研究的目的是确...
2022-01-07 1201
使用单一晶圆加工工具蚀刻晶圆背面薄膜的方法
引言 随着半导体技术的发展,为了在有限的面积内 形成很多器件,技术正在向多层结构发展。要想形成多层结构,会形成比现有更多的薄膜层 ,这时晶片背面也会堆积膜。目前,在桔叶式设备...
2022-01-05 1113
用于异质结太阳能电池应用的Na2CO3溶液的硅片纹理化
引言 在太阳能电池工业中,最常见的纹理化方法之一是基于氢氧化钠或氢氧化钾的水溶液和异丙醇(IPA)。然而,IPA是有毒的,而且相对昂贵,因此人们正在努力取代它。在过去的几年中,硅异质...
2022-01-05 1214
开年专访谷泰微创始人兼CEO石方敏:2022本土IC要迎“大考”
随着全球数字化转型加速以及AIOT、智能汽车市场爆发,全球集成电路市场规模加速增长,预计2021年全球集成电路市场将增长到5700亿美元,未来5年将更增长到1万亿美元的规模!...
2022-01-04 857
Nano Dimension宣布收购Essemtec AG
-Essemtec AG是一家为印刷电路板和原始设备制造商行业提供表面贴装取放系统的供应商 -本次收购有助于为以下方面的突破性进展奠定基础:作为增材制造电子产品解决方案一部分的微芯片放置方...
2021-12-31 3865
国内首条!基本半导体汽车级碳化硅功率模块专用产线正式通线
12月30日,基本半导体位于无锡市新吴区的汽车级碳化硅功率模块制造基地正式通线运行,首批碳化硅模块产品成功下线。这是目前国内第一条汽车级碳化硅功率模块专用产线,采用先进碳化硅...
2021-12-31 2903
SiO2在氢氟酸中的刻蚀机理
摘要 研究了高频和高频/HCI溶液中的不同平衡点,并研究了SiQ的蚀刻反应作为高频溶液中不同物种的函数。基于HF二聚体的存在,建立了一种新的SiO~蚀刻机制模型, SiQ在高频溶液中的溶解是在集...
2021-12-31 3983
Al2O3钝化PERC太阳能电池的工业清洗序列
摘要 在本文中,我们研究了测试晶圆和PERC太阳能电池的不同工业适用清洗顺序,并与实验室类型的RCA清洗进行了比较。清洁顺序pSC1、HF/HCl、HF/O3和HF/O3显示出1 ms至2 ms之间的寿命,这与对应于低...
2021-12-31 1587
异丙醇(IPA)的解吸特性和IPA蒸汽干燥硅晶片中的水分
引言 为了评估用各种程序清洗和干燥的晶圆表面的清洁度,我们通过高灵敏度的大气压电离质谱(APIMS)成功地分析了这些晶圆表面的排气量。特别是,通过将晶片表面的解吸气体引入APIMS,研究...
2021-12-30 5045
2021第三代半导体产教融合发展论坛成功举办
由第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会(CASAS)主办、泰克科技(中国)有限公司和北京博电新力电气股份有限公司协办的“2021 第三代半导体标准与检测研讨会”在深圳召开。...
2021-12-29 1756
化学蚀刻的铜-ETP铜的实验分析
引言 化学蚀刻是通过与强化学溶液接触来控制工件材料的溶解。该过程可以应用于任何材料。铜是利用化学腐蚀工艺制造微电子元件、微工程结构和精密零件中广泛使用的工程材料之一。在这...
2021-12-29 2237
Cu CMP后清洗中添加剂对颗粒粘附和去除的影响
引言 Cu作为深度亚微米的多电级器件材料,由于其电阻低、电迁移电阻高和电容降低,与铝相比的时间延迟。本文从理论和实验上研究了柠檬酸基铜化学机械平坦化后二氧化硅颗粒对铜膜的粘附...
2021-12-29 1194
半导体晶片的湿蚀方法、清洗和清洁
关键词 晶圆清洗 电气 半导体 引言 半导体器件的制造是从半导体器件开始广泛销往市场的半个世纪 前到现在为止与粒子等杂质的战斗。半个世纪初,人们已经了 解了什么样的杂质会给半导体...
2021-12-29 2371
紫外荧光在晶圆表面清洁分析中的应用
引言 紫外荧光(UVF)是一种新颖而通用的检测硅片表面金属杂质污染的方法。我们证明了UVF在硅片加工中污染控制的有效性。实验显示了室温下铁、铜、镍、钠等主要特征峰。与其他表面敏感技术...
2021-12-28 864
南安芯谷入驻项目集中签约仪式暨产业服务专题发布成功举办
12月25日,由南安市石井镇党委、政府,泉州芯谷南安分园区办事处和联东U谷联合主办的“芯动南安 成功石井”南安芯谷入驻项目集中签约仪式暨产业服务专题发布会在南安市石井镇成功举办。...
2021-12-27 509
聚合物光波导制备用于硅基板上的自旋涂层薄膜的界面粘合
引言 研究了用于制造聚合物光波导的旋涂聚合物粘合薄膜在硅衬底上的界面粘合。通过使用光刻工艺在硅衬底上制造粘合剂剪切按钮,并用D2400剪切测试仪测量界面粘合。在同一样品的不同部分...
2021-12-27 1361
优化缩短3D集成硅通孔(TSV)填充时间的创新方法
本文介绍了一种新型的高纵横比TSV电镀添加剂系统,利用深层反应离子蚀刻(DRIE)技术对晶片形成图案,并利用物理气相沉积(PVD)技术沉积种子层。通过阳极位置优化、多步骤TSV填充过程、添加剂...
2021-12-27 1806
半导体工艺之介电蚀刻工艺中等离子体的蚀刻处理
摘要 本文主要研究了从接触刻蚀、沟槽刻蚀到一体刻蚀的介质刻蚀工艺中的刻蚀后处理。优化正电子发射断层扫描步骤,不仅可以有效地去除蚀刻过程中在接触通孔的侧壁底部形成的副产物,...
2021-12-27 2753
贸泽电子田吉平:2022年晶圆产能会提升,芯片短缺需要更长时间缓解
岁末年初之际,电子发烧友网策划的《2022半导体产业展望》专题,收到超过60位国内外半导体创新领袖企业高管的前瞻观点。此次,电子发烧友特别采访了贸泽电子亚太区市场及商务拓展副总裁...
2021-12-27 6671
RCA清洁变量对颗粒去除效率的影响
摘要 在湿化学加工中,制造需要表面清洁度和表面光滑度。有必要完美地控制所有工艺参数,特别是对于常见的清洁技术RCA clean (SC-1和SC-2) [2]。本文讨论了表面处理参数的特点及其影响。硅技...
2021-12-27 864
《华林科纳-半导体工艺》化学品对硅片上金属污染的影响
摘要 对实自不同供应商的化学5进行了清法后残自在理最片上的全属污染水平的测试。在江省过在中,评估了来自三个供应商的盐整机复氧化镇以及来自四个供应母的讨氧化复,在RCA标准济夜市...
2021-12-27 588
半导体锗光电探测器与非晶硅基板上的非晶硅波导单体集成
引言 我们展示了一个利用高质量的绝缘体上锗(GeO)晶片通过晶片键合技术制造的阿格/非晶硅混合光子集成电路平台的概念验证演示。通过等离子体化学气相沉积形成的非晶硅被认为是传统硅无...
2021-12-24 1814
氢氟酸水溶液中离子辐照LiNbO3的蚀刻
引言 用多能氩离子辐照x射线切割铌酸锂单晶,产生厚度为400纳米的均匀损伤表面层,研究其在HF水溶液中的腐蚀行为。使用不同的酸温度和浓度,表明可以通过将温度从24℃提高到55℃来提高蚀...
2021-12-23 1402
半导体单晶片旋转清洗器中涡流的周期性结构
引言 近年来,随着集成电路的微细化,半导体制造的清洗方式从被称为“批量式”的25枚晶片一次清洗的方式逐渐改变为“单张式”的晶片一次清洗的方式。在半导体的制造中,各工序之间进行...
2021-12-23 1184
氮化硅陶瓷在氢氟酸水溶液中的水热分解行为
引言 精细陶瓷由于其优越的机械性能和功能性能,在过去的二十年中得到了发展。最近,从环境和经济的角度来看,希望开发具有较低能量的制造工艺,因为生产精细陶瓷需要相当大的能量。...
2021-12-23 1628
在HF水溶液中处理的GaP表面的特性
引言 椭偏光谱(SE)、原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)、润湿性和光致发光(PL)测量研究了HF水 溶液中化学清洗的GaP(OOl)表面。SE数据清楚地表明,溶液在浸入样品后(W1分钟)会立即去除自然...
2021-12-22 1780
宇阳科技MLCC项目荣获2021年度省电子信息行业科技进步奖
宇阳科技5G通信用微波高Q片式多层陶瓷电容器的关键技术研究项目和“008004超微型片式多层陶瓷电容器的量产及关键技术研究”项目分别荣获科技进步二等奖、三等奖。...
2021-12-22 3457
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