溶解部分光刻胶 - 沙子做的CPU凭什么卖那么贵？
2016年11月25日 08:57 超能网 作者：梁俊豪 用户评论（0）
8.溶解部分光刻胶
对曝光后的晶圆进行显影处理。以正光刻胶为例，喷射强碱性显影液后，经紫外光照射的光刻胶会发生化学反应，在碱溶液作用下发生化学反应，溶解于显影液中，而未被照射到的光刻胶图形则会完整保留。显影完毕后，要对晶圆表面的进行冲洗，送入烘箱进行热处理，蒸发水分以及固化光刻胶。
9.蚀刻
将晶圆浸入内含蚀刻药剂的特制刻蚀槽内，可以溶解掉暴露出来的晶圆部分，而剩下的光刻胶保护着不需要蚀刻的部分。期间施加超声振动，加速去除晶圆表面附着的杂质，防止刻蚀产物在晶圆表面停留造成刻蚀不均匀。
10.清除光刻胶
通过氧等离子体对光刻胶进行灰化处理，去除所有光刻胶。此时就可以完成第一层设计好的电路图案。
11.重复第6-8步
由于现在的晶体管已经3D FinFET设计，不可能一次性就能制作出所需的图形，需要重复第6-8步进行处理，中间还会有各种成膜工艺（绝缘膜、金属膜）参与到其中，以获得最终的3D晶体管。
- 第 1 页：沙子做的CPU凭什么卖那么贵？
- 第 2 页：硅锭切片
- 第 3 页：涂抹光刻胶
- 第 4 页：溶解部分光刻胶
- 第 5 页：离子注入
- 第 6 页：构建晶体管之间连接电路
- 第 7 页：晶圆切片、外观检查
- 第 8 页：封装
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( 发表人：方泓翔 )