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动态

• 发布了文章 2022-03-24 18:29

  ９.２.４　器件参数的温度特性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

  

  ９.２.４器件参数的温度特性９.２绝缘栅双极型晶体管（IGBT）第９章双极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》代理产品线：1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera选型说明2、国产MCUPtPSTMcu、GDMcu，引脚亦可转换位置灵活重新定义3、国产FPGA：原位替换XILINX/赛灵思：SPARTAN6系列4、国科微

  元器件 晶体管

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• 发布了文章 2022-03-24 16:57

  ９.２.３　开关特性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

  

  ９.２.３开关特性９.２绝缘栅双极型晶体管（IGBT）第９章双极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》代理产品线：1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera选型说明2、国产MCUPtPSTMcu、GDMcu，引脚亦可转换位置灵活重新定义3、国产FPGA：原位替换XILINX/赛灵思：SPARTAN6系列4、国科微GK720

  开关

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• 发布了文章 2022-03-24 16:55

  10.1.6 磁阻式随机存储器∈《集成电路产业全书》

  

  MagnetoresistiveRandomAccessMemory（MRAM）审稿人：北京大学蔡一茂王宗巍https://www.pku.edu.cn审稿人：北京大学张兴10.1非传统新结构器件第10章集成电路基础研究与前沿技术发展《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍代理产品线：1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera选型说明2、国产MC

  存储器

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• 发布了文章 2022-03-22 03:01

  ９.２.２　阻断电压∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

  

  ９.２.２阻断电压压关系９.２绝缘栅双极型晶体管（IGBT）第９章双极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》代理产品线：1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera选型说明2、国产MCUPtPSTMcu、GDMcu，引脚亦可转换位置灵活重新定义3、国产FPGA：原位替换XILINX/赛灵思：SPARTAN6系列4、国科微GK

  电压

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• 发布了文章 2022-03-22 01:05

  10.1.5 负栅电容晶体管∈《集成电路产业全书》

  

  NegativeCapativeMOSFET(NC-MOSFET)审稿人：北京大学蔡一茂喻志臻https://www.pku.edu.cn审稿人：北京大学张兴10.1非传统新结构器件第10章集成电路基础研究与前沿技术发展《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍代理产品线：1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera选型说明2、国产MCUPtPSTM

  晶体管

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• 发布了文章 2022-03-21 01:05

  ９.２.１　电流-电压关系∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

  

  ９.２.１电流-电压关系９.２绝缘栅双极型晶体管（IGBT）第９章双极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》代理产品线：1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera选型说明2、国产MCUPtPSTMcu、GDMcu，引脚亦可转换位置灵活重新定义3、国产FPGA：原位替换XILINX/赛灵思：SPARTAN6系列4、国科微GK

  电压 SiC

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• 发布了文章 2022-03-21 01:04

  10.1.4 自旋场效应晶体管∈《集成电路产业全书》

  

  SpinField-effectTransistor撰稿人：清华大学许军梁仁荣https://www.tsinghua.edu.cn审稿人：北京大学张兴蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.1非传统新结构器件第10章集成电路基础研究与前沿技术发展《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍代理产品线：1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代A

  晶体管

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• 发布了文章 2022-03-20 01:06

  10.1.3 碰撞电离MOS器件∈《集成电路产业全书》

  

  ImpactIonizationMOS撰稿人：清华大学许军梁仁荣https://www.tsinghua.edu.cn审稿人：北京大学张兴蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.1非传统新结构器件第10章集成电路基础研究与前沿技术发展《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍代理产品线：1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera选型

  MOS

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• 发布了文章 2022-03-19 01:07

  ９.１.１０阻断电压∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

  

  ９.１.１０阻断电压９.１双极结型晶体管（BJT）第９章双极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》代理产品线：1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera选型说明2、国产MCUPtPSTMcu、GDMcu，引脚亦可转换位置灵活重新定义3、国产FPGA：原位替换XILINX/赛灵思：SPARTAN6系列4、国科微GK7202V

  电压

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• 发布了文章 2022-03-19 01:06

  10.1.2 隧道场效应晶体管(TFET)∈《集成电路产业全书》

  

  TunnelingField-effectTransistor撰稿人：清华大学许军梁仁荣https://www.tsinghua.edu.cn审稿人：北京大学张兴蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.1非传统新结构器件第10章集成电路基础研究与前沿技术发展《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍代理产品线：1、国产AGMCPLD、FPGAP

  晶体管

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