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深圳市致知行科技有限公司

代理:AGM CPLD/FPGA;OV sensor;NOR Flash;SiC SBD/MOS;GaN MOS;压力传感器;相机等方案开发

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动态

  • 发布了文章 2022-03-11 01:08

    9.7.6 有机封装基板∈《集成电路产业全书》

    OrganicPackagingSubstrate撰稿人:中国科学院化学研究所杨士勇http://www.iccas.ac.cn审稿人:中国电子材料行业协会袁桐http://www.cemia.org.cn9.7封装结构材料第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍代理产品线:1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera选型说明
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  • 发布了文章 2022-03-10 01:09

    国科微GK7202V300 PtP Hi3518EV300 Hi3518ERNCV300 低功耗IPC

    国科微,gokemicro,位于长沙,产品涉及存储、智能机顶盒、视频编解码、物联网等。安防芯片代表作有GK7102(130万IPCSOC),GK7202(200万IPCSOC),GK7205V200(200万/300万H.265IPCSOC,相当于海思3516EV200),GK7205V300(500万IPCSOC,相当于海思3516EV300),GK760
    3.4k浏览量
  • 发布了文章 2022-03-10 01:08

    ​9.1.1内部电流∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    9.1.1内部电流9.1双极结型晶体管(BJT)第9章双极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》代理产品线:1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera选型说明2、国产MCUPtPSTMcu、GDMcu,引脚亦可转换位置灵活重新定义3、国产FPGA:原位替换XILINX/赛灵思:SPARTAN6系列往期内容:8.2.12.1
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  • 发布了文章 2022-03-10 01:07

    9.7.5 陶瓷基板材料∈《集成电路产业全书》

    CeramicSubstrateMaterials撰稿人:中国电子科技集团公司第十三研究所刘志平http://13.cetc.com.cn审稿人:中国电子材料行业协会袁桐http://www.cemia.org.cn9.7封装结构材料第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍代理产品线:1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代Alter
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  • 发布了文章 2022-03-09 05:01

  • 发布了文章 2022-03-09 01:06

    9.7.4 金属封装材料∈《集成电路产业全书》

    MetalPackagingMaterials撰稿人:中国电子科技集团公司第十三研究所刘志平http://13.cetc.com.cn审稿人:中国电子材料行业协会袁桐http://www.cemia.org.cn9.7封装结构材料第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情:切割机(划片机).ADT.82
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  • 发布了文章 2022-03-08 01:08

  • 发布了文章 2022-03-08 01:07

    9.7.3 陶瓷封装材料∈《集成电路产业全书》

    CeramicPackagingMaterials撰稿人:中国电子科技集团公司第十三研究所刘志平http://13.cetc.com.cn审稿人:中国电子材料行业协会袁桐http://www.cemia.org.cn9.7封装结构材料第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情:切割机(划片机).ADT.
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  • 发布了文章 2022-03-07 01:09

    国产CPLD、FPGA PINtoPIN替代Altera选型说明

    查看全部文章,请点击↓↓↓FPGA是四大高端芯片之一(CPU、DSP、存储器、FPGA),由于具有先购买再设计的特性,广泛应用在原型验证、通信、汽车电子、工业控制、航空航天、数据中心等领域。2019年全球FPGA市场规模约69亿美元,中国FPGA市场约120亿人民币,其中民用市场约100亿,国产渗透率仅约4%。从前年的华为事件开始,半导体的国产替代进程开始逐
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  • 发布了文章 2022-03-07 01:08

    8.2.12 MOSFET 瞬态响应∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

    8.2.12MOSFET瞬态响应8.2金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)第8章单极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:8.2.11氧化层可靠性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》8.2.10.34H-SiC反型层迁移率的实验结果8.2.10.2反型层迁移率的器件相关定义8.2.10.1影响反型层
    MOS
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企业信息

联系人:张涵清

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公司介绍:代理:AGM CPLD/FPGA;OV sensor;NOR Flash;SiC SBD/MOS;GaN MOS;压力传感器;相机等方案开发

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