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• 发布了产品 2022-07-11 14:40

  GTRA412852FC-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：GTRA412852FC-V1 典型的脉冲连续波性能：960 – 1215 兆赫 脉冲宽度：128 μs 占空比：10%

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• 发布了产品 2022-07-11 14:26

  GTRA412852FC-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：GTRA412852FC-V1 典型的脉冲连续波性能：4100兆赫 P3dB 时的输出功：235 W 增益：10 分贝

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• 发布了产品 2022-07-11 14:18

  GTRA384802FC-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：GTRA384802FC-V1 峰值 P3dB： 280 W 典型的脉冲连续波性能：3800兆赫 输出功率： 400 瓦

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• 发布了产品 2022-07-11 10:27

  GTRA374902FC-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：GTRA374902FC-V1 典型的脉冲连续波性能：3700兆赫 输出功率：450 瓦 效率 ：60%

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• 发布了产品 2022-07-11 10:16

  GTRA364002FC-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：GTRA364002FC-V1 典型的脉冲连续波性能：3400-3600兆赫 P3dB 时的输出功： 400 W 效率 ：60%

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• 发布了产品 2022-07-11 10:06

  GTRA362802FC-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：GTRA362802FC-V1 峰值 P3dB ：180 W 典型值 典型的脉冲连续波性能：3400-3600兆赫 P3dB 时的输出功： 280 W

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• 发布了产品 2022-07-11 09:54

  GTRA362002FC-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：GTRA362002FC-V1 P3dB输出功率： 200 W 效率：60% 增益：12.5 分贝

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• 发布了产品 2022-07-08 18:54

  MRF137 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管放大器 MACOM品牌

  

  产品型号：MRF137 输出功率：30 W 最小增益：13 dB 效率：60%

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• 发布了产品 2022-07-08 18:17

  MRF136 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MACOM品牌

  

  产品型号：MRF136 晶体管极性:：N-Channel 工作频率:：400 MHz 增益:：16 dB

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• 发布了产品 2022-07-08 10:50

  GTRA360502M-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：GTRA360502M-V1 峰值:P3dB：36w 典型脉冲：连续波性能 占空比：10%

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