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• 发布了产品 2022-07-15 10:14

  PTVA047002EV-V1 高功率射频 LDMOS FET 700 W CREE

  

  产品型号：PTVA047002EV-V1 集成： ESD 保护 热效率：低热阻 高增益 封装：热增强封装

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• 发布了产品 2022-07-15 10:06

  PTVA043502EC-V1/PTVA043502FC-V1 大功率射频 LDMOS FET 350 W CREE

  

  产品型号：PTVA043502EC-V1/PTVA043502FC-V 集成： ESD 保护 VSWR：10:1 平均功率：70 W

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• 发布了产品 2022-07-14 18:18

  PTGA090304MD-V2 宽带 LDMOS 两级集成功率放大器 2 x 20 W CREE

  

  产品型号：PTGA090304MD-V2 P1dB 时的输出功：45 dBm P3dB 时的输出功：45.9 dBm P3dB 时的输出功：45.9 dBm

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• 发布了产品 2022-07-14 16:37

  WSGPA01-V1 GaN on SiC 分立通用放大器 (GPA)

  

  产品型号：WSGPA01-V1 工作频率：：高达 5 GHz P3dB：：高达 10 W 电源电压：：高达 50 V

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• 发布了产品 2022-07-14 15:28

  GTVA355001EC氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：GTVA355001EC 脉冲宽度：300 μs 占空比：10% 输出功率：P3dB = 500 W

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• 发布了产品 2022-07-14 14:41

  GTVA220701FA-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：GTVA220701FA-V1 输出功率：P3dB 45 W 效率： 60.7% 增益： 21.6 分贝

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• 发布了产品 2022-07-14 14:28

  GTVA212701FA-V2氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：GTVA212701FA-V2 占空比：10% 输出功率： P3dB 300 W 效率： 68.5%

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• 发布了产品 2022-07-12 15:04

  GTVA126001EC-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：GTVA126001EC-V1 占空比；：10% 输出功率（P3dB）：600W 排水效率 ：65%；

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• 发布了产品 2022-07-12 09:15

  GTVA123501FA-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：GTVA123501FA-V1 输出功率：350W； 排水效率 ：70 %； 增益：18 分贝

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• 发布了产品 2022-07-11 15:20

  GTVA107001EC-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：GTVA107001EC-V1 典型的脉冲连续波性能：1030兆赫 脉冲宽度：128 μs 占空比：10%

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