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碳化硅 (SiC) MOSFET：为汽车电气化的未来提供动力2024-04-24 11:48

随着人们更加注重可持续性发展的经济新模式，我们的居住方式、工作状态以及使用车辆的通勤和休闲方式都在发生相应的变化。尤其是在交通运输领域的变革，因为我们需要减少对化石燃料等不可再生资源的依赖，以减轻对环境的影，推动了一系列能够显著提升效率并加快电气化转变的产品的问世。功率半导体技术近年来快速进步，配备了碳化硅(SiC)MOSFET的电动汽车(EV)如今能够行驶

MOSFET 汽车碳化硅 807浏览量

利用 Ga-FIB 洞察 SiC 和 GaN 功率半导体结2024-04-23 10:49

尽管传统高压平面MOSFET取得了进步，但由于阻断或漏源击穿电压因厚度、掺杂和几何形状而变化，因此局限性仍然存在。本文将讲解超级结MOSFET(例如意法半导体的MDmesh技术)通过晶圆上又深又窄的沟槽来应对这些挑战。01该技术非常适合开关模式电源，采用超级结多漏极结构来降低漏源压降。高漏电或软击穿电压等问题可能是由块状形成中的污染物或缺陷引起的。因此，

GaN SiC 功率半导体 347浏览量

台湾晶圆代工与IC封装测试2023年均为全球第一2024-04-22 13:52

台湾作为全球半导体产业领航者，汇聚着众多全球领先的半导体公司。根据驻新加坡台北代表处发布最新一期《2023年台湾与全球半导体供应链回顾》报告，在晶圆代工和集成电路(IC)封装测试方面，2023年台湾均位居第一。报告称，台积电在全球半导体晶圆代工市场上保持优势地位，其产值之市占率从2022年的55.4%，提升至2023年的58.9%，并在2023年第四季达到6

IC封装晶圆 608浏览量

氮化镓(GaN)功率集成电路(IC)开发的优势与挑战2024-04-22 13:51

氮化镓(GaN)功率器件以离散形式已在电源充电器的应用领域得到广泛采用。在电源转换应用中，GaN高迁移率电子晶体管(HEMT)的诸多材料和器件优势也推动了它在多样化应用中的电源转换使用，例如数据中心、可再生能源和电动汽车。在本文中，我们将探讨创建GaN功率集成电路(ICs)的一些优势和挑战。01创造GaN功率IC的动机基于硅的功率管理集成电路(PMICs)被

IC 氮化镓氮化镓电源集成电路 1891浏览量

汽车电子化潮流推动磁传感器市场蓬勃发展2024-04-19 13:59

随着现代汽车行业迅猛发展，汽车“三化”特征——智能化、电动化、网络化日益显著，车辆的电子功能不断丰富，例如电动助力转向、防抱死刹车系统(ABS)以及电子加速踏板等。这些进步背后，磁传感器的需求量悄然增长。磁传感器主要用于测量汽车的车速、轮速、曲轴位置、凸轮轴位置等重要参数，它们在ABS和电动车电机控制等关键系统中扮演着不可缺少的角色。全球磁传感器市场目前正处

传感器汽车电子测量磁传感器 859浏览量

封装技术会成为摩尔定律的未来吗?2024-04-19 13:55

你可听说过摩尔定律?在半导体这一领域，摩尔定律几乎成了预测未来的神话。这条定律，最早是由英特尔联合创始人戈登·摩尔于1965年提出，简单地说就是这样的：集成电路上可容纳的晶体管数量大约每两年翻一番，性能也随之增强。这不仅是一条观察法则，更像是一道命令，催促着整个行业向着更小、更快、更便宜的方向发展。01但这些年来，摩尔定律好像遇到了壁垒。我们的芯片已经小得难

封装技术晶体管芯片 301浏览量

阿斯麦(ASML)公司首台高数值孔径EUV光刻机实现突破性成果2024-04-18 11:50

在半导体领域，技术创新是推动整个行业向前发展的重要动力。近日，荷兰阿斯麦(ASML)公司宣布，成功打造了首台采用0.55数值孔径(NA)投影光学系统的高数值孔径(High-NA)极紫外(EUV)光刻机，并已经成功印刷出首批图案。这一重要成就，不仅标志着ASML公司技术创新的新高度，也为全球半导体制造行业的发展带来了新的契机。目前，全球仅有两台高数值孔径EUV

EUV 光刻机半导体 847浏览量

GaN功率HEMT制造中的缺陷及其表征方法2024-04-18 11:49

氮化镓具有许多内在材料优势，如宽能隙和高电子迁移率。当用作横向高电子迁移率晶体管(HEMT)器件时，这些特性可用于获得功率转换性能优势，因为其无反向恢复损失且电容相对较小。随着这项技术在更广泛的应用范围内推广，详细理解提高产量和可靠性的根本原因至关重要。本文中，我们总结了在GaN晶圆加工过程中常见的一些缺陷，以及用于检测这些缺陷的表征技术。01氮化镓晶体结构

GaN HEMT 氮化镓 1110浏览量