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功率半导体市场迎飞跃,预测2035年市场规模将增4.7倍2024-05-28 10:53
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如何降低功率元器件发生绝缘品质异常2024-05-28 10:51
当绝缘体内存在气泡(Void)或绝缘体间存在气隙(Airgap)时,在正常工作电压下气泡或气隙容易发生局部放电(PartialDischarge,PD),导致绝缘劣化造成绝缘品质异常。例如:树酯内有气泡或漆包线间的气隙,因为空气的介电系数较低,气泡或气隙的电容量比原绝缘材料低,所以会分到相对高比例的电压,且在相同间隙距离条件下,气泡或气隙的崩溃电压比绝缘材料的低。此类放电发生于气泡或气隙等局部瑕疵功率元器件 269浏览量 -
SemiQ 开始针对 SiC 产品组合实施已知良品芯片(KGD)计划2024-05-27 11:19
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MPRA1C65-S61 650V 碳化硅功率模块详解2024-05-27 11:16
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韩国筹划622万亿韩元半导体补贴计划,吸引国内外中小企业强化产业生态2024-05-24 11:46
据悉,韩国政府正积极筹划一项半导体补贴计划,旨在面对全球半导体产业竞争加剧的背景下,培育和吸引国内外中小企业加入其半导体产业生态系统。该计划补贴预计622万亿韩元,对半导体产业集群目标所采取的重要举措。韩国,作为半导体产业的重要参与者,近年来一直努力加强其在全球半导体市场中的地位。此次半导体补贴计划的提出,标志着韩国政府在应对全球产业竞争方面迈出了重要步伐。根据韩国政府的计划,补贴将针对有潜力的中半导体 290浏览量 -
适用于集成存储和电动汽车充电的光伏系统的 SiC MOSFET 模块2024-05-24 11:45
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Nexperia(安世)发布高性能碳化硅MOSFET,满足工业应用增长需求2024-05-23 10:57
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基于 GaN 的 MOSFET 如何实现高性能电机逆变器2024-05-23 10:56
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聊聊几种常见的单片机通信方式2024-05-22 12:28
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碳化硅(SiC)引领电力电子革命,成本优势显著2024-05-21 11:11